紫外LED外延结构、光源器件及紫外LED外延结构制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，涉及一种紫外LED外延结构、光源器件及紫外LED外延结构的制备方法，该紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。该紫外LED外延结构、光源器件及紫外LED外延结构的制备方法提供的技术方案具有结构简单、生产成本低、综合力学性能好、晶格缺陷小、强度高、硬度大、导热性好、热膨胀系数小的特点。

【技术实现步骤摘要】
紫外LED外延结构、光源器件及紫外LED外延结构制备方法
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种紫外LED外延结构、光源器件及紫外LED外延结构的制备方法。
技术介绍
发光二极管(简称LED)可以直接把电能转化为光能。LED芯片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一部分是N型半导体，在它里面电子占主导地位。当这两个半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流流过导线作用于这个芯片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。LED作为一种新型光源，由于具有环保、节能、寿命长、启动速度快、等优势而得到了空前的发展。紫外LED由于UVC波段(200nm～280nm)波长短，能量高，短时间内破坏微生物机体(细菌、病毒等病原体)细胞中分子结构，因此可以通过破坏微生物的DNA和RNA而阻止其繁殖，以实现高效快速的广谱杀菌效果，从而对水、空气和物体表面进行杀菌消毒，使细胞无法再生，广泛应用于如水、空气等的杀菌消毒。数据显示，仅以30mW/cm本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。/n

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金材质的衬底层。


2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述衬底基材的原材料包括硅、铝、铜、铁、镍、镁和铋；且所述硅、铝、铜、铁、镍、镁、铋的质量比为50:38:6:3:2:1。


3.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构还包括层叠设置于所述p型电流扩展层顶面上的盖帽层；
所述盖帽层包括GaN层，且所述盖帽层厚度为10～30nm。


4.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述紫外LED外延结构还包括设置于所述衬底基材和n型电流扩展层之间的过渡层；
所述过渡层包括AlN层，所述过渡层的厚度为50～70nm。


5.根据权利要求1至4任一项所述的紫外LED外延结构，其特征在于，所述有源发光结构包括层叠设置的第一有源发光层和第二有源发光层，且所述第一有源发光层层叠设置于所述n型电流扩展层的顶面上，所述第二有源发光层层叠设置于所述p型电流扩展层的底面上；
所述第一有源发光层包括交替层叠设置的至少一InxGa1-xN量子阱层和至少一AlGaN势垒层，其中，0.001≤x≤0.01；
所述第二有源发光层包括交替层叠设置的至少一InyGa1-yN量子阱层和至少一AlGaN势垒层形成的周期性结构；其中，0.001≤y≤0.0...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锋，吉爱华，
申请(专利权)人：深圳市光脉电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44