发光元件制造技术

本发明专利技术公开种一发光元件，其包含︰基板；以及一位于基板上的活性结构，其包含一阱层以及一阻障层，其中阱层包含多个不同的VA族元素；其中阱层和阻障层各具有一残留压缩应力，且阱层的残留压缩应力大于阻障层的残留压缩应力。

【技术实现步骤摘要】
发光元件本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201610075751.9，申请日：2016年02月03日，专利技术名称：发光元件)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光元件，尤其是涉及一种具有较长寿命以及较高的可靠度的半导体发光元件。
技术介绍
发光二极管被广泛地用于固态照明光源。相较于传统的白炽灯泡和荧光灯，发光二极管具有耗电量低以及寿命长等优点，因此发光二极管已逐渐取代传统光源，并且应用于各种领域，如交通号志、背光模块、路灯照明、医疗设备等。
技术实现思路
本专利技术提供一种一发光元件，其包含︰一基板；以及一位于基板上的活性结构，其包含一阱层以及一阻障层，其中阱层包含多个不同的VA族元素；其中阱层和阻障层各具有一残留压缩应力，且阱层的残留压缩应力大于阻障层的残留压缩应力。本专利技术提供一种发光元件，其包含︰活性结构，其包含阱层以及阻障层；具有第一导电型态的第一半导体层以及具有第二导电型态的第二半导体层，活性结构位于第一半导体层以及第二半导体层之间；第一中间层，位于第一半导体层以及活性结构之间；以及窗户层，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包含︰/n活性结构，其包含阱层以及阻障层；/n具有第一导电型态的第一半导体层以及具有第二导电型态的第二半导体层，该活性结构位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间；/n第一中间层，位于该第一半导体层以及该活性结构之间；以及/n窗户层，位于该第一半导体层上且具有粗化部分；/n其中该阻障层包含Al、Ga及As，且该窗户层的铝含量小于该第一中间层的铝含量。/n

【技术特征摘要】
20150210 US 14/618,0371.一种发光元件，其特征在于，包含︰
活性结构，其包含阱层以及阻障层；
具有第一导电型态的第一半导体层以及具有第二导电型态的第二半导体层，该活性结构位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间；
第一中间层，位于该第一半导体层以及该活性结构之间；以及
窗户层，位于该第一半导体层上且具有粗化部分；
其中该阻障层包含Al、Ga及As，且该窗户层的铝含量小于该第一中间层的铝含量。


2.如权利要求1所述的发光元件，其中该阻障层包含AlzGa1-zAs，该阱层包含InxGa1-xAs1-yPy，其中x≠0，0.001≤y≤0.1且z≠0。


3.一种发光元件，其特征在于，包含︰
活性结构，其包含阱层以及阻障层；
具有第一导电型态的第一半导体层以及具有第二导电型态的第二半导体层，该活性结构位于该第一半导体层以及该第二半导体层之间；
第一中间层，位于该第一半导体层以及该活性结构之间；以及
窗户层，位于该第一半导体层上且具有粗化部分；
其中该阱层和该阻障层各具有一残留压缩应力，该第一中间层包含Alz1Ga1-z1As，该第一窗户...

【专利技术属性】
技术研发人员：林义杰，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71