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本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种紫外LED外延结构、光源器件及紫外LED外延结构的制备方法，该紫外LED外延结构包括衬底基材以及依次层叠设置于所述衬底基材顶面上的n型电流扩展层、有源发光结构和p型电流扩展层；其中，所述衬底基材包括合金...
该专利属于深圳市光脉电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市光脉电子有限公司授权不得商用。

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