一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，属于半导体材料以及器件制备技术领域，包括步骤1：利用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN层；步骤2：热处理AlN层，形成具有重结晶孔洞的AlN层；步骤3：在具有重结晶孔洞的AlN层上外延生长紫外LED器件结构，制备得到基于重结晶孔洞的紫外LED。本发明专利技术的基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，通过高温热处理采用物理气相沉积法制备的AlN层形成重结晶孔洞，不需要光刻、刻蚀、或者引入其他材料掩膜的工艺，具有工艺简单、技术门槛低、省时、引入污染少的优点，可以在有效提高紫外LED器件光提取效率的同时，降低生产成本，更适用于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】
一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法
本专利技术涉及半导体材料以及器件制备
，具体涉及一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法。
技术介绍
基于三族氮化物的紫外LED器件目前正被广泛研究与应用，由于LED发光器件应用场景广泛，市场巨大，因此为了节约能源、提高器件的应用效率，如何提高三族氮化物紫外LED器件工作效率是至关重要的研究课题。LED的工作效率主要由电压注入效率以及外量子效率所决定。其中外量子效率是内量子效率以及光提取效率的乘积。目前通过高质量的材料外延生长以及器件结构设计，紫外LED的器件内量子效率最高可达90％以上，已经趋近于饱和。然而由于三族氮化物半导体的高折射率，导致其布儒斯特角较小，光提取效率很难提高，致使发光波长短于365nm的紫外LED器件的外量子效率基本在30％以内，有待进一步提升。现有技术中，为提高紫外LED的光提取，研究人员提出多种解决方案。在申请号为201821718205.3、201911108379.7、201910597139.1的专利技术专利中记载了粗化LED器件出光面表面形貌的技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1：利用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN层；/n步骤2：热处理所述AlN层，形成具有重结晶孔洞的AlN层；/n步骤3：在所述具有重结晶孔洞的AlN层上外延生长紫外LED器件结构，制备得到所述基于重结晶孔洞的紫外LED。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：利用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN层；
步骤2：热处理所述AlN层，形成具有重结晶孔洞的AlN层；
步骤3：在所述具有重结晶孔洞的AlN层上外延生长紫外LED器件结构，制备得到所述基于重结晶孔洞的紫外LED。


2.根据权利要求1所述的基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度高于1300℃，所述热处理的时间不超过10h，且在热处理的同时通入惰性气体以防止防表面氧化或分解。


3.根据权利要求1所述的基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，其特征在于，通过调控所述热处理的温度对形成的重结晶孔洞的体积进行调控，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎大兵，贲建伟，孙晓娟，蒋科，陈洋，张山丽，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22