Micro LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术提供一种Micro LED芯片的制备方法，包括步骤：1)提供衬底，于衬底上形成图形化缓冲层，相邻的缓冲层之间具有间隙，间隙中覆盖有掩膜层；2)于图形化缓冲层上外延生长LED外延层，掩膜层上无法生长LED外延层而使相邻的LED外延层之间具有间隔；3)基于LED外延层制备Micro LED芯片。本发明专利技术通过缓冲层及掩膜层的设计，可实现每个缓冲层图形之上为独立的LED外延层，可省略传统Micro LED工艺中的一道干法刻蚀以切割出独立Micro LED芯片的流程，避免了刻蚀流程造成的侧壁刻蚀损伤，避免了表面非辐射复合的通道，从而有效提高Micro LED芯片的亮度。本发明专利技术还可以有效减小LED外延层的翘曲。

【技术实现步骤摘要】
MicroLED芯片的制备方法
本专利技术属于半导体发光器设计及制造领域，特别是涉及一种MicroLED芯片的制备方法。
技术介绍
在LED芯片的应用中，普通LED芯片的应用以照明与显示装置背光模块为主，当前迅猛发展的MiniLED则以户内、户外显示屏等为主要应用方向。但是在许多对尺寸和PPI要求更高的应用上现有技术并不能满足要求，因此MicroLED技术作为一种全新的显示技术应运而生，其应用概念跟前两者则完全不同，可应用在穿戴式的手表、手机、车用显示装置、VR/AR、电视等领域，被认为是终极的显示技术。从技术迭代角度，MicroLED要求更小的芯片尺寸以实现更小的像素间距。MicroLED应用于显示装置时，存在如下问题：1)随着LED尺寸的减小，LED尺寸微缩带来边缘效应，因为通过刻蚀工艺制程的Micro-LED芯片，侧壁会留下不可避免的刻蚀损伤，成为表面非辐射复合的通道，从而降低芯片的亮度；2)Micro-LED用于显示时，工作在小电流区间，主要范围为0.02-2A/cm2，在此小电流区间，芯片外延层内部的位错密度对亮度的影响很大；本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：/n1)提供衬底，于所述衬底上形成图形化缓冲层，相邻的缓冲层之间具有间隙，所述间隙中覆盖有掩膜层；/n2)于所述图形化缓冲层上外延生长LED外延层，所述掩膜层上无法生长LED外延层而使相邻的LED外延层之间具有间隔；/n3)基于所述LED外延层制备Micro LED芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
1)提供衬底，于所述衬底上形成图形化缓冲层，相邻的缓冲层之间具有间隙，所述间隙中覆盖有掩膜层；
2)于所述图形化缓冲层上外延生长LED外延层，所述掩膜层上无法生长LED外延层而使相邻的LED外延层之间具有间隔；
3)基于所述LED外延层制备MicroLED芯片。


2.根据权利要求1所述的MicroLED芯片的制备方法，其特征在于，在步骤2)外延生长LED外延层阶段中，控制所述LED外延层的横向生长面的四周边界使其不超过围绕其四周的掩膜层的中垂面。


3.根据权利要求1所述的MicroLED芯片的制备方法，其特征在于，步骤1)包括：
1-1)在所述衬底形成缓冲层；
1-2)采用光刻工艺及刻蚀工艺对所述缓冲层进行图形化，以形成图形化缓冲层，相邻的缓冲层之间具有间隙；
1-3)在所述间隙处形成掩膜层。


4.根据权利要求3所述的MicroLED芯片的制备方法，其特征在于，所述衬底包括蓝宝石衬底及硅衬底中的一种，所述缓冲层为低温氮化镓缓冲层或通过溅镀工艺形成的氮化铝缓冲层，所述掩膜层包括二氧化硅或氮化硅中的一种。


5.根据权利要求1所述的MicroLED芯片的制备方法，其特征在于：通...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄文荣，卢敬权，
申请(专利权)人：东莞市中麒光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44