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本发明提供一种Micro LED芯片的制备方法，包括步骤：1)提供衬底，于衬底上形成图形化缓冲层，相邻的缓冲层之间具有间隙，间隙中覆盖有掩膜层；2)于图形化缓冲层上外延生长LED外延层，掩膜层上无法生长LED外延层而使相邻的LED外延层之间...
该专利属于东莞市中麒光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞市中麒光电技术有限公司授权不得商用。

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