一种衬底的回收工艺制造技术

本发明专利技术针对外延生长完成的衬底回收时存在翘曲偏大、利用率低的问题，公开了一种调整衬底翘曲、提高利用率的方法，该方法通过在衬底外延层的另一面进行镀膜，激光聚焦在衬底内部形成改质点来调整衬底的翘曲以达到量产的标准，之后利用高温化学反应去除外延生长层，对去除外延生长层后的衬底进行清洗，去除低折射率膜，得到回收后的衬底。

【技术实现步骤摘要】
一种衬底的回收工艺
本专利技术涉及一种衬底的回收工艺，具体涉及到衬底的回收方法，属于光电子

技术介绍
氮化镓材料具有宽带隙、高电子迁移率、高热导率、高稳定性等一系列优点，因此在高亮度蓝色发光二极管(LED)、蓝色半导体激光器(LD)以及抗辐射、高频、高温、高压等电子电力器件中有着广泛的实际应用和巨大的市场前景。GaN基LED应用领域的多样性决定了其市场需求十分火热，2010年中国大陆和台湾地区都出现了供不应求的的现象。在外延生长过程中，由于工艺波动或者设备异常等不可控因素，会产出一些不满足生产标准的无法投料的废外延片，对于这些外延片通常只能进行报废处理。报废的外延片中分摊的衬底、水电都是一笔较大的资源浪费，其中衬底费用是整个外延过程中不可忽视的大开支。由于得到氮化镓系发光二极管衬底必须经历一系列的成膜工序，这些成膜工序使衬底的翘曲大幅变化，导致氮化物半导体层的质量或发光波长的均匀性变差，发光二极管的成品率变低。在对衬底进行处理，使其恢复为可用状态时，有效地控制衬底的翘曲形状和/或翘曲量是一个比较难解决的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底的回收工艺，其特征在于，所述工艺包括：/n提供外延生长完成的衬底，衬底包括相对的第一面和第二面，第一面上有外延层；/n在所述衬底的第二面镀低折射率膜，/n利用激光从所述衬底的第二面侧对衬底进行扫描，在衬底内部形成多个改质点，以调整所述衬底的翘曲；/n去除所述衬底第一面上的外延层和低折射率膜，得到回收的衬底，其中低折射率膜的折射率低于衬底的折射率。/n

【技术特征摘要】
1.一种衬底的回收工艺，其特征在于，所述工艺包括：
提供外延生长完成的衬底，衬底包括相对的第一面和第二面，第一面上有外延层；
在所述衬底的第二面镀低折射率膜，
利用激光从所述衬底的第二面侧对衬底进行扫描，在衬底内部形成多个改质点，以调整所述衬底的翘曲；
去除所述衬底第一面上的外延层和低折射率膜，得到回收的衬底，其中低折射率膜的折射率低于衬底的折射率。


2.根据权利要求1所述的一种衬底的回收工艺，其特征在于，所述低折射率膜的折射率在1~1.8之间。


3.根据权利要求1所述的一种衬底的回收工艺，其特征在于，所述低折射率膜的厚度在0.1μm~30μm之间。


4.根据权利要求1所述的一种衬底的回收工艺，其特征在于，所述改质点位于所述衬底厚度的2%~98%厚度范围内，其中2%和98%的厚度范围是从第二面开始算起。


5.根据权利要求1所述的一种衬底的回收工艺，其特征在于，从所述的衬底的第二面观察，所述改质点所分布的区域为距离所述衬底中心至少10mm的所述衬底的区域。

【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞评，曾柏翔，张佳浩，杨良，陈铭欣，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35