一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，属于发光二极管领域，该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaAs缓冲层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑AlxGa1‑xAs限制层、N‑AlxGa1‑xAs Space层、多量子阱有源层、P‑AlxGa1‑xAs Space层、P‑AlxGa1‑xAs限制层和P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层；在所述P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层上进行原位生长P‑AlxGa1‑xAs粗化层；在所述P‑AlxGa1‑xAs粗化层上生长重掺P‑GaAs接触层。本发明专利技术中，通过外延工艺制备粗糙表面，促进光的散射，提高其正面出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法
本专利技术属于发光二极管领域，尤其涉及一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法。
技术介绍
红外光源最开始应用于光通信领域，随着时代的发展逐渐开始应用于消费行业，比如遥控、识别、检测感应等方面。目前特别像人脸识别、3D成像、虹膜识别和眼动追踪等新技术都在不断地整合到诸多智能设备中，比如在智能手机、智能电子手表和各种移动终端平台上的应用，极大地推动了红外光源的普及应用。另外为了维护社会治安，打击违法犯罪，近些年国家也在大力推动建立天网监控系统，市场对安防监控设备的需求也在日益增加。红外LED由于其具有低热、节能、长寿命等优点，在红外光源领域的应用占有重要的地位。目前红外LED都存在发光功率偏低的问题，尤其在远距遥控和监控领域的应用尤为明显。
技术实现思路
本专利技术主要从提高红外LED的出光效率着手，即通过外延工艺制备粗糙的表面，促进光的散射，提高其从正表面出光的效率。为解决上述技术问题，本专利技术提供以下的技术方案：本专利技术提供了一种具有粗糙表面的红外L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤，/nS1：提供一衬底（200），/nS2：在所述衬底（200）上依次生长GaAs缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAs Space层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAs Space层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）和P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤，
S1：提供一衬底（200），
S2：在所述衬底（200）上依次生长GaAs缓冲层（211）、N-AlxGa1-xAs电流扩展层（221）、N-AlxGa1-xAs限制层（231）、N-AlxGa1-xAsSpace层（241）、多量子阱有源层（251）、P-AlxGa1-xAsSpace层（261）、P-AlxGa1-xAs限制层（271）和P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）。


2.根据权利要求1所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，其特征在于，所述步骤还包括，
S3：在所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）上生长P-AlxGa1-xAs粗化层（202），
S4：在所述P-AlxGa1-xAs粗化层（202）上生长重掺P-GaAs接触层（203）。


3.根据权利要求2所述的一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法，其特征在于，
当所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层（281）生长结束时，停止通入TEGa和TEAl，并等待10-60s，此时间内将CCl4有效流量从10-20sccm升高至100-250sccm；之后再通入TEGa和TEAl生长5-...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊欢，徐培强，林晓珊，张银桥，王向武，潘彬，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36