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本发明公开了一种具有粗糙表面的红外LED外延片制备方法,属于发光二极管领域,该方法包括:提供一衬底;在所述衬底上依次生长GaAs缓冲层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑AlxGa1‑xAs限制层、N‑AlxGa1‑xAs Space...该专利属于南昌凯捷半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南昌凯捷半导体科技有限公司授权不得商用。
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