微发光二极管转移装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种微发光二极管转移装置及制作方法。转移装置的制作方法包括，在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列对准，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱；在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口，去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔。本发明专利技术解决了真空吸嘴难以吸附微元件的问题，实现了微发光二极管的批量转移。

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管转移装置及其制作方法
本专利技术涉及微发光二极管
，特别是涉及一种微发光二极管转移装置及其制作方法。
技术介绍
随着显示行业的快速发展，显示技术的不断更新迭代，微发光二极管(MicroLight-emittingDiodes，Micro-LED)显示技术有望成为下一代主流显示技术。Micro-LED显示技术比目前的OLED显示技术拥有更高的亮度、更好的发光效率以及更低的功耗，具有明显的技术优势。然而，在实际开发过程中仍存在很多的问题，其中，Micro-LED的批量转移是降低微发光二极管显示屏体加工成本和提升工艺的关键技术，但是由于Micro-LED芯片的尺寸小，传统的真空吸嘴工艺很难适用于几十到几个微米尺寸的Micro-LED芯片。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种微发光二极管转移装置及制作转移装置的方法，通过使用特殊材质制作具有微米级孔径的真空弹性吸嘴实现微发光二极管的批量转移。为解决上述技术问题，一方面，本专利技术提供一种微发光二极管转移装置的制作方法，包括：在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱，使得所述弹性材料层中形成若干贯穿孔；在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口；去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔形成带有吸嘴的微发光二极管的转移装置。进一步的，所述在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块的步骤，具体包括：在第一玻璃基板上形成第一柔性衬底，在所述第一柔性衬底上形成若干第一光阻块；在第二玻璃基板上形成第二柔性衬底，在所述第二柔性衬底上形成若干第二光阻块；进一步的，去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱的步骤，具体包括：去除所述第二玻璃基板、第二柔性衬底以及所述光阻柱；进一步的，所述去除所述第一玻璃基板的步骤，具体包括：去除所述第一玻璃基板以及第一柔性衬底。进一步的，所述第一柔性衬底和所述第二柔性衬底由聚酰亚胺制备。进一步的，所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层的步骤，具体包括：通过毛细工艺，在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层。进一步的，所述使得每个所述第一光阻块均与一所述第二光阻块粘合来形成光阻柱的步骤，具体包括：通过加压工艺，使得每个所述第一光阻块均与一所述第二光阻块粘合来形成光阻柱。进一步的，在所述弹性材料层上覆盖封装板的步骤，具体包括：在所述弹性材料层上覆盖封装板，并使得所述弹性材料层与所述封装板共价键键合。进一步的，所述第二光阻块的截面面积大于所述第一光阻块的截面面积。进一步的，所述第一光阻块和第二光阻块均呈圆柱状。进一步的，所述吸嘴的截面直径在2um-50um的范围内。另一方面，本专利技术还提供了一种使用上述方法制得的微发光二极管的转移装置。本专利技术的有益效果是：本专利技术通过在玻璃基板上光刻加工的具有微结构的光阻块，再浇筑弹性材料形成大量微米级孔径的贯穿孔，解决了真空吸嘴难以吸附微元件的问题，同时可吸附纳米级的micro-LED芯片并实现大批量的micro-LED转移。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术一实施例中微发光二极管转移装置的制作方法的流程示意图；图2至图6为图1各步骤对应的微发光二极管转移装置剖面结构示意图；图7为本专利技术一实施例中微发光二极管转移装置的剖面结构示意图；图8为本专利技术一实施例中微发光二极管转移装置的俯视结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。请参见图1，是本专利技术微发光二极管阵列器件第一实施例的制作方法流程示意图。所述方法包括：步骤S1：在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块。具体的，提供大小相同的第一玻璃基板和第二玻璃基板，第一玻璃基板和第二玻璃基板的材料均为任意的硬质材料如选用ZnSe、Zn0、蓝宝石(Al203)、SiC、Si、GaN、GaAs、GaP、磷化铝铟镓(AlInGaP)、铝砷化镓(AlGaAs)等材料。在两块玻璃基板上分别使用光刻技术加工出圆柱状的微结构的光刻胶图形，光刻胶图形也称之为光阻块。如图2所示，在第一玻璃基板103和第二玻璃基板106上形成若干第一光阻块101和第二光阻块104的过程中，首先在第一玻璃基板103上形成第一柔性衬底102，在第二玻璃基板106上形成第二柔性衬底105，第一柔性衬底102和第二柔性衬底105为具有延展性的材料，优选为聚酰亚胺(PI)材料，PI可以通过涂覆或者固化形成于玻璃基板上，这样使得PI形成的表面较为平整，而且PI薄膜作为牺牲层在剥离时更容易实现与基板的分离；当然，在其它实施例中，柔性衬底还可以是其他衬底，例如PET衬底、PMMA衬底等，本实施例仅作示意性说明，并不以此为限，在实际应用中可根据需要合理设置。接下来，在第一柔性衬底102上使用光刻技术光刻第一光阻块101，在第二柔性衬底105上同样使用光刻技术光刻第二光阻块104，第一光阻块101和第二光阻块104均为柱状的光刻胶图形。其中，第一柔性衬底102上的第一光阻块101和第二柔性衬底105上的第二光阻块104位置相同，且第一光阻块101和第二光阻块104的数量相等，但是第一光阻块101的横截面积小于第二光阻块104的横截面积，且相邻第一光阻块101之间的间距大于相邻第二光阻块104之间的间距。第一光阻块101之间的距离设置在2um-50um之间，第二光阻块104之间的距离只要满足小于第一光阻块之间的距离即可，即距离的设置是为了满足吸嘴的尺寸大小。为了使后续步骤容易操作，每个第一光阻块101和每个第二光阻块104的中心位置最好能够一一对应，也就是说，第一玻璃基板103上的第一光阻块101的中心和第二玻璃基板106上的第二光阻块104中心的位置相同。可选地，第一光阻块101和第二光阻块104可以同为正向光阻，也可以同为负向光阻，本实施例中选择第一光阻块101和第二光阻块104同为正向光阻。步骤S2：将所述第一玻璃基板103和所述第二玻璃基板104并列，并使得每个所述第一光阻块101均与所述第二光阻块104粘合来形成光阻柱。如图3所示，将第二玻璃基板106、第二柔性衬底105和第二光阻块10本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管转移装置的制作方法，其特征在于，包括：/n在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；/n将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；/n在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；/n去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱，使得所述弹性材料层中形成若干贯穿孔；/n在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口；/n去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔形成吸嘴。/n

【技术特征摘要】
1.一种微发光二极管转移装置的制作方法，其特征在于，包括：
在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块；
将所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板并列，并使得每个所述第一光阻块均与所述第二光阻块粘合来形成光阻柱；
在所述第一玻璃基板和所述第二玻璃基板之间填充弹性材料层，所述填充材料层环绕所述光阻柱；
去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱，使得所述弹性材料层中形成若干贯穿孔；
在所述弹性材料层上覆盖封装板，所述封装板与所述弹性材料层之间形成联通所述若干贯穿孔的腔室，所述腔室具有外接口；
去除所述第一玻璃基板，暴露出所述若干贯穿孔形成吸嘴。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一玻璃基板上形成若干第一光阻块、在第二玻璃基板上形成若干第二光阻块的步骤，具体包括：
在第一玻璃基板上形成第一柔性衬底，在所述第一柔性衬底上形成若干第一光阻块；
在第二玻璃基板上形成第二柔性衬底，在所述第二柔性衬底上形成若干第二光阻块；
所述去除所述第二玻璃基板以及所述光阻柱的步骤，具体包括：
去除所述第二玻璃基板、第二柔性衬底以及所述光阻柱；
所述去除所述第一玻璃基板的步骤，具体包括：
去除所述第一玻璃基板以及第一柔性衬底。


3.根据权利要求2所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢汝博，
申请(专利权)人：云谷固安科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13