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本发明提供了一种基于重结晶孔洞的紫外LED的制备方法，属于半导体材料以及器件制备技术领域，包括步骤1：利用物理气相沉积法在衬底上沉积AlN层；步骤2：热处理AlN层，形成具有重结晶孔洞的AlN层；步骤3：在具有重结晶孔洞的AlN层上外延生长...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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