【技术实现步骤摘要】
大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法
本专利技术属于宽禁带半导体
,具体涉及一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法、一种发光二极管制备方法、一种发光二极管。
技术介绍
现有技术中,AlGaN基固态深紫外光源具有环保、工作寿命长等优点,是取代传统汞灯的关键技术。AlGaN作为宽禁带半导体,已被证明是人们追寻的干净环保的深紫外(DeepUltraviolet,简称DUV)光源的理想选择之一。与基于InGaN基的蓝光LED成熟技术相比,基于AlGaN的深紫外发光二极管(DeepUVlightemittingdiode,简称DUV-LED)外量子效率大多数情况下低于10%。基于大角度斜切衬底可以增加电子波函数重叠和增强载流子局域化,大角度的斜切衬底对于调高辐射复合效率和内量子效率都非常的有必要。通过增加衬底斜切角度可以有效减少台面密度,帮助原子在较小的迁移长度下也能有效并入台阶位置。基于大角度斜切衬底的外延结构有诸多优势,而在传统的C面蓝宝石衬底上已经有很多方法制备AlN薄膜,包括基于金属有机气相生长 ...
【技术保护点】
1.一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法,其特征在于,包括:/n选取一大角度斜切蓝宝石衬底、一常规蓝宝石衬底;/n在所述大角度斜切蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层,在所述常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到常规蓝宝石衬底AlN外延层;/n将所述大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与所述常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面贴合,并置于高温退火炉中进行高温退火,将完成高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层、常规蓝宝石衬底AlN外延层剥离;/n在高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上重复进行生长AlN层、高温退火处理直到所述高 ...
【技术特征摘要】
1.一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法,其特征在于,包括:
选取一大角度斜切蓝宝石衬底、一常规蓝宝石衬底;
在所述大角度斜切蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层,在所述常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到常规蓝宝石衬底AlN外延层;
将所述大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与所述常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面贴合,并置于高温退火炉中进行高温退火,将完成高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层、常规蓝宝石衬底AlN外延层剥离;
在高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上重复进行生长AlN层、高温退火处理直到所述高温退火后的大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层上的AlN层达到预设厚度,以完成大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备。
2.根据权利要求1所述的大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法,其特征在于,所述大角度斜切蓝宝石衬底的斜切方向为c面偏向a面,斜切角范围为0.2°~6°。
3.根据权利要求1所述的大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法,其特征在于,所述大角度斜切蓝宝石衬底生长的AlN层厚度为200nm~400nm。
4.根据权利要求1所述的大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法,其特征在于,所述常规蓝宝石衬底上生长的AlN层厚度为200nm~300nm。
5.根据权利要求1所述的大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法,其特征在于,将所述大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与所述常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面贴合,并置于高温退火炉中进行高温退火包括:
将所述大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面与所述常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面上下贴合,并置于高温退火炉中,其中,所述大角度斜切蓝宝石衬底AlN外延层的AlN生长面在下,所述常规蓝宝石衬底AlN外延层的AlN...
【专利技术属性】
技术研发人员:周小伟,岳文凯,吴金星,李培咸,王燕丽,许晟睿,马晓华,郝跃,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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