【技术实现步骤摘要】
一种减小LED芯片切割损失的切割方法
本专利技术涉及LED制造
，具体是一种减小LED芯片切割损失的切割方法。
技术介绍
LED芯片由于其发光效率高，颜色范围广，使用寿命长在半导体照明界得到广泛重视，已被大量应用于显示屏、交通信号灯、景观照明、汽车状态显示等各个领域。尤其是近几年随着技术的发展突破，用于手机、户外显示等显示屏的小间距屏得到长足进步，再加上生产成本的不断上涨，对LED管芯的亮度要求越来越高，但是对产品要求确越来越小，LED管芯面对的着更高的要求，管芯尺寸减小进一步提高产出的同时，管芯的发光亮度还要保持较高的测试结果，对LED管芯的制程提出了更苛刻的要求。LED芯片制作工艺中,切割是不可或缺的重要一步。切割就是将经过光刻、镀膜、减薄等工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒的过程，下游的应用产品封装正是使用每一颗晶粒进行不同产品的封装需求。LED芯片制作工艺中，切割最常用的方式就是利用切割机的机械切割，利用高速旋转的刀片，沿设定好的周期尺寸进行对芯片进行铲挖切割，对芯片发光区的损失也是最大的。...
【技术保护点】
1.一种减小LED芯片切割损失的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：/n1)准备LED芯片；/n2)P面半切，并进行LED芯片测试；/n3)P面涂覆光刻胶，形成掩护膜；/n4)光照曝光，烘烤；/n5)显影；/n6)N面涂覆光刻胶，形成胶膜；/n7)干法刻蚀；/n8)P面去除掩护膜，贴蓝膜；/n9)N面去除胶膜；/n10)倒膜，切割完成。/n
【技术特征摘要】
1.一种减小LED芯片切割损失的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备LED芯片；
2)P面半切，并进行LED芯片测试；
3)P面涂覆光刻胶，形成掩护膜；
4)光照曝光，烘烤；
5)显影；
6)N面涂覆光刻胶，形成胶膜；
7)干法刻蚀；
8)P面去除掩护膜，贴蓝膜；
9)N面去除胶膜；
10)倒膜，切割完成。
2.根据权利要求1所述的一种减小LED芯片切割损失的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备LED芯片；
2)P面半切，并进行LED芯片测试：取步骤1)准备的LED芯片，LED芯片P面按工艺设定的周期进行间隔的半切；
再取半切后的LED芯片，利用测试机进行测试，测试出LED芯片相应的亮度、电压及波长；
3)P面涂覆光刻胶，形成掩护膜：将测试后的LED芯片吸附于匀胶机吸盘上，利用匀胶机在P面涂负性胶，涂胶后在P面上形成掩护膜；
4)光照曝光，烘烤：将涂胶后的LED芯片放置于光刻机平台上进行光照曝光，在掩护膜上曝光出切割道；再将曝光后的LED芯片放置于烘箱中烘烤，使掩护膜固化；
5)显影：将烘烤后的LED芯片放置于显影腐蚀液中进行显影刻蚀，掩护膜切割道上的胶被腐蚀掉后，LED芯片P面上显现出切割道，其余部分继续被胶覆盖；再将显影后的LED芯片进行清洗，清洗后通过热氮气烘干；
6)N面涂覆光刻胶，形成胶膜：将烘干后的芯片吸附在匀胶机吸盘上，利用匀胶机在N面涂负性胶，涂覆后经烘箱烘烤，在芯片N面形成一层整体的胶膜；
7)干法刻蚀：将步骤6)处理后的LED芯片N面向下放置在刻蚀机内，通入Cl2和BCl3，利用刻蚀机对LED芯片P面未被胶覆盖的切割道进行刻蚀，刻蚀深度直到穿透整个芯片厚度到N面的胶膜上；
8)P面去除掩护膜，贴蓝膜：将刻蚀后的LED芯片放入去胶液中，去胶，再将LED芯片放入丙酮溶液中清洗，接着将LED芯片放入乙醇中，纯水清洗，最后通过氮气烘干；再将去掉P面掩护膜的LED芯片的P面朝下贴附在蓝膜上；
9)N面去除胶膜：将P面贴附在蓝膜上的LED芯片放入去胶液中，去胶，清洗，再将LED芯片放入纯水中清洗，去除胶膜后，芯片已变成一颗颗独立的管芯粘附在蓝膜上；
10)将步骤9)处理后的LED芯片进行一次倒膜，LED芯片N面粘附在蓝膜上，切割完成。
3.根据权利要求2所述的一种减小LED芯片切割损失的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：
1)准备LED芯片；
2)P面半切：取步骤1)准备的LED芯片，LED芯片P面按工艺设定的周期进行间隔的半切；切割深度为LED芯片厚度的5％-10％；
3)芯片测试：取半切后的LED芯片，利用测试机进行测试，测试电流为20mA，测试时间为5ms，测试出LED芯片相应的亮度、电压及波长；
4)P面涂覆光刻胶，形成掩护膜：将测试后的LED芯片吸附于匀胶机吸盘上，利用匀胶机在P面涂负性胶，涂胶后在P面上形成掩护膜；
5)光照曝光：将涂...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑军，李琳琳，齐国健，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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