一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法技术

一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑的半导体发光元件阵列。

【技术实现步骤摘要】
一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法
涉及一种适于转移的半导体发光元件结构的方法和器件，具体的适用于宽度100μm以下的微型尺寸半导体发光元件的转移。
技术介绍
Microled是新一代显示技术，比现有的OLED技术亮度更高、发光效率更好、功耗更低。MicroLED的显示原理，是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1~100μm等级左右。将MicroLED批量式转移至电路基板上；再利用物理沉积制程完成保护层与上电极，即可进行上基板的封装，完成一结构简单的MicroLED显示。MicroLED有一个其他电子行业几乎不会用到的高难度工艺—巨量微转移。即将微型尺寸的数以万计的芯粒如何高良率的转移至最终的电路基板上。目前适于转移的结构通常是利用牺牲层将芯粒支撑于支撑基板上，然后再采用湿法蚀刻工艺去除牺牲层，牺牲层通常采用钛或钛钨等金属。去除牺牲层前需要先定义出桥结构，并蚀刻出牺牲层蚀刻路径，然后才能采用湿法蚀刻工艺去除牺牲层，使芯粒支撑柱或桥结构被支撑在支撑基板上。然而由于湿法蚀刻工艺反应剧烈，释放大量热量和气泡，会对芯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：/n（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；/n（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；/n（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；/n（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑基板上支撑的半导体发光元件阵列，其中支撑基板上具有阵列式或图案化的支撑结构，每一半导体发光元件包括释放层的延伸部分与支...

【技术特征摘要】
1.一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其包括：
（1）在一临时衬底的一面侧获得单元化的阵列式半导体发光元件，每一半导体发光元件包括一释放层，释放层具有水平的延伸部分位于每一半导体发光元件至少一侧并覆盖在临时衬底上；
（2）制作支撑结构在每一半导体发光元件至少一侧，支撑结构的底部或侧壁与释放层水平的延伸部分接触式连接；
（3）粘接一支撑基板在支撑结构的上方；
（4）移除临时衬底，使释放层的水平延伸部分以及多个半导体发光元件的表面从同一侧被暴露，获得适于转移的支撑基板上支撑的半导体发光元件阵列，其中支撑基板上具有阵列式或图案化的支撑结构，每一半导体发光元件包括释放层的延伸部分与支撑结构连接形成桥结构，半导体发光元件的其余部分与支撑基板无接触。


2.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的支撑结构为阵列式支撑柱或阵列式的支撑台或图形的支撑框架。


3.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（2）中制作支撑结构时，支撑结构的顶部高度高于半导体发光元件的顶部高度，步骤（4）获得的结构中，支撑结构与半导体发光元件之间仅通过释放层的延伸部分接触式连接。


4.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（1）中的释放层的延伸部分在相邻两个半导体发光元件之间未连续，并在相邻两个发光元件之间暴露部分的临时衬底，步骤（2）中的支撑结构底部至少部分被制作在相邻两个发光元件之间暴露的临时衬底上。


5.根据权利要求4所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（2）中制作支撑结构时，步骤（2）中形成的支撑结构底部全部支撑在暴露的衬底上，支撑结构仅侧壁与释放层的延伸部分的边缘形成接触式连接。


6.根据权利要求4所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（2）中制作支撑结构时，支撑结构底部边缘部分覆盖有释放层的延伸部分。


7.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，释放层的延伸部分在相邻两个发光元件之间连续未断开，步骤（2）中在相邻两个发光元件之间支撑结构的至少部分覆盖释放层的延伸部分之上。


8.根据权利要求1或7所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的释放层的延伸部分在半导体发光元件的一侧具有宽度小于半导体发光元件同一侧的宽度。


9.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的步骤（2）形成的支撑结构为刚性材料，如金属、金属合金、固化树脂。


10.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的树脂为光敏树脂。


11.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的半导体发光元件的水平宽度尺寸100μm以下。


12.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的步骤（2）中形成的支撑结构与半导体发光元件除延伸部分以外的其它部分无接触。


13.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的步骤（3）中所述的支撑基板通过粘接层支撑在支撑结构的上方。


14.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的半导体发光元件无绝缘或导电性的永久衬底。


15.根据权利要求13所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述步骤（1）中释放层的延伸部分位于至少半导体发光元件一侧或两侧或四周。


16.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所述的释放层为绝缘层，绝缘层包括覆盖在半导体发光元件表面侧的部分。


17.根据权利要求1所述的一种制造适于转移的半导体发光元件结构的方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙成，蔡景元，吴俊毅，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12