一种提高LED管芯表面洁净度的方法技术

本发明专利技术涉及一种提高LED管芯表面洁净度的方法,具体步骤包括：(1)切割：将LED芯片切割成独立的管芯；(2)初次高压清洗：对切割后的LED芯片进行初次高压清洗；(3)扩膜：对初次高压清洗后的LED芯片进行扩膜；(4)酸洗：将扩膜后的LED芯片浸入到酸洗试剂中进行清洗；(5)二次高压清洗：对酸洗后的LED芯片进行二次高压清洗；(6)检验：对二次高压清洗后的LED芯片进行检验。该方法工艺的稳定性好，同时可保证了芯片表面的洁净度，提高了产品流向客户后的焊线性能。

【技术实现步骤摘要】
一种提高LED管芯表面洁净度的方法
本专利技术涉及一种提高LED管芯表面洁净度的方法，属于LED制备过程中的清洗

技术介绍
LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。LED芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。随着集成电路技术的进步和发展，产品更趋向于小型化、多功能化，集成度要求越来越高，芯片尺寸减小、切割槽宽度减小，芯片的厚度越来越薄，制程中应用到的新材料越来越本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，具体步骤包括：/n(1)切割：将LED芯片切割成独立的管芯；/n(2)初次高压清洗：对切割后的LED芯片进行初次高压清洗；/n(3)扩膜：对初次高压清洗后的LED芯片进行扩膜；/n(4)酸洗：将扩膜后的LED芯片浸入到酸洗试剂中进行清洗；/n(5)二次高压清洗：对酸洗后的LED芯片进行二次高压清洗；/n(6)检验：对二次高压清洗后的LED芯片进行检验。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，具体步骤包括：
(1)切割：将LED芯片切割成独立的管芯；
(2)初次高压清洗：对切割后的LED芯片进行初次高压清洗；
(3)扩膜：对初次高压清洗后的LED芯片进行扩膜；
(4)酸洗：将扩膜后的LED芯片浸入到酸洗试剂中进行清洗；
(5)二次高压清洗：对酸洗后的LED芯片进行二次高压清洗；
(6)检验：对二次高压清洗后的LED芯片进行检验。


2.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤(4)中，所述酸洗试剂包括冰醋酸和去离子水，所述酸洗试剂中冰醋酸与去离子水的体积比例为(1-4)：(10-28)；
最优选的，所述酸洗试剂中冰醋酸与去离子水的体积比例为3：12。


3.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤(4)中，配置好的酸洗试剂温度控制在20-26℃。


4.根据权利要求1所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，步骤(4)中，将LED芯片放入到所述酸洗试剂中晃动清洗25-35下，清洗时间为25-35s。


5.根据权利要求4所述的一种提高LED管芯表面洁净度的方法，其特征在于，LED芯片经过步骤(4)酸洗后，先使用去离子水晃动冲洗LED芯片背面4-6次，再使用去离子水冲洗LED芯片正...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑军，齐国健，闫宝华，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37