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大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法技术
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文档序号:26893601
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本发明公开了一种大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备、发光二极管及其制备方法,大角度斜切蓝宝石衬底AlN制备方法包括:选取大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底;分别在大角度斜切蓝宝石衬底、常规蓝宝石衬底上生长AlN层得到大角度斜切蓝宝石衬底AlN...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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