存储单元制造技术

本发明专利技术实施例提供一种存储单元和其形成方法。存储单元包含底部电极、蚀刻停止层、可变电阻层以及顶部电极。蚀刻停止层安置在底部电极上。可变电阻层嵌入在蚀刻停止层中且与底部电极接触。顶部电极安置在可变电阻层上。还提供一种具有存储单元的半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
存储单元
本专利技术实施例涉及一种存储单元。
技术介绍
快闪存储器是广泛使用的非易失性存储器类型。然而，预期快闪存储器会遇到缩放困难。因此，正在研究非易失性存储器的替代类型。这些非易失性存储器的替代类型之一是相变存储器(phasechangememory；PCM)。PCM是采用PCM的相来表示数据单元的非易失性存储器的类型。PCM具有快速读取和写入时间、非破坏性读取以及高可缩放性。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种存储单元包含底部电极、蚀刻停止层、可变电阻层以及顶部电极。所述蚀刻停止层安置在所述底部电极上。所述可变电阻层嵌入在所述蚀刻停止层中且与所述底部电极接触。所述顶部电极安置在所述可变电阻层上。本专利技术实施例的一种形成存储单元的方法包含：在介电层中形成底部电极；在所述介电层上形成蚀刻停止层以覆盖所述底部电极；在所述蚀刻停止层上形成堆叠结构，其中所述堆叠结构包括交替地堆叠的多个第一层和多个第二层；在所述堆叠结构中形成第一开口以暴露所述蚀刻停止层；使所述多个第一层从所述多个第一层的内侧壁横向凹进；通过使用所述堆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储单元，包括：/n底部电极；/n蚀刻停止层，安置在所述底部电极上；/n可变电阻层，嵌入在所述蚀刻停止层中且与所述底部电极接触；以及/n顶部电极，安置在所述可变电阻层上。/n

【技术特征摘要】
20190625 US 62/866,587;20200108 US 16/737,8861.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林毓超，卡罗斯·H·迪亚兹，余绍铭，李东颖，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71