一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法技术

本发明专利技术提供了一种忆阻器，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，各个材料之间依次叠加，功能性材料氧化铪层设置在第一电极和第二电极之间，本发明专利技术还公开了一种忆阻器的制备方法和一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法，本发明专利技术实现了忆阻器的可调控的阈值开关阻变性质，忆阻器的结构简单、制作工艺简便，使忆阻器在不同阻态下呈现出具有差异性的阈值开关特性。

【技术实现步骤摘要】
一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法
本专利技术属于忆阻器
，具体涉及一种阻态依赖阈值开关性质的实现方法。
技术介绍
忆阻器作为新兴的基础信息器件,在非易失性高密度存储、类脑神经形态计算、可重构逻辑运算等领域具有广泛的应用前景,受到学术界和工业界广泛关注。通过调控忆阻器中金属导电通道的稳定性,可以实现非易失性记忆开关和易失性阈值开关行为,前者可以作为嵌入式存储器、非易失逻辑功能的物理基础,而后者则可应用于构建选通管、人工神经元、随机数产生器等。忆阻器在电信号作用下发生可逆的高低阻转变效应，被称为阻变开关效应。迄今为止，人们相继在二元金属氧化物、多元金属氧化物、钙钛矿以及固体电解质材料等薄膜材料中发现电阻开关特性。在现有的关于忆阻器电学性能的研究中，主要可以分为单极性阻变效应、双极型阻变、阈值开关阻变等阻变性质，在大部分研究中，阈值开关阻变特性和其他阻变特性是单独出现或者通过限制电流等电学参数实现多种阻变效应的转换，很少研究具有阻态依赖的阈值阻变开关效应。通过其他阻变效应、控制器件工作过程的限制电流，可调整器件的记忆性阻值，从而实现对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，所述第一电极设置在所述衬底的表面，所述氧化铪层设置在所述第一电极的表面，所述第二电极蒸镀在所述氧化铪层的表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种忆阻器，其特征在于，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，所述第一电极设置在所述衬底的表面，所述氧化铪层设置在所述第一电极的表面，所述第二电极蒸镀在所述氧化铪层的表面。


2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。


3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述氧化铪层的厚度为10-30nm。


4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极的材质为氧化铟锡，所述氧化铟锡为单层结构。


5.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第二电极的材质为银。


6.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述第一电极的厚度和所述第二电极的厚度均在100-300nm之间。


7.一种忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用原子层沉积方法在第一电极上制备氧化铪层，反应物为四(二乙...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈心满，钟智坚，蒋治国，黄健宁，章勇，
申请(专利权)人：华南师范大学，
类型：发明
国别省市：广东;44