存储器元件的结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件的结构包括基板，所述基板中具有下电极层。缓冲层设置在所述基板上与所述下电极层接触。可变电阻层全部围绕所述缓冲层的侧壁，由所述基板垂直向上延伸。掩模层设置在所述缓冲层与所述可变电阻层上。贵金属层在所述基板上方，全部覆盖所述可变电阻层及所述掩模层。上电极层设置在所述贵金属层上。

【技术实现步骤摘要】
存储器元件的结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别是关于电可变电阻式的存储器元件的结构及其制造方法。
技术介绍
非挥发性存储器在数字化的电子产品中，几乎是必要的配备。数字化的电子产品例如是计算机，移动电话、相机、录像机等等在日常生活中也是不可缺少的产品。因此，非挥发性存储器是普遍被需求。非挥发性存储器的存储单元的结构的可以有多种不同的设计，其中会因存储的方式不同而有对应的结构。为节省元件面积的使用，垂直式的存储单元(memorycell)已被提出，例如是可变电阻式存储器元件(ResistiveMemoryDevice)，其利用存储材料的电阻变化特性，依照施加电压的控制，可以有两个稳定状态的电阻值，如此可以用来存储一个位(bit)的数据。然而随着存储单元的不同结构，制造流程也随着不同，其中如果有不适当的结构设计，其可能会导致制造不易控制，甚至可能易造成元件失败。如何设计非挥发性存储器的存储单元的结构，也是存储器的研发所要考虑的问题。
技术实现思路
本专利技术提出存储器元件的结构及其制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器元件的结构，其特征在于，包括:/n基板，所述基板中具有下电极层；/n缓冲层，设置在所述基板上与所述下电极层接触；/n可变电阻层，围绕所述缓冲层的全部侧壁，由所述基板垂直向上延伸；/n掩模层，设置在所述缓冲层与所述可变电阻层上；/n贵金属层，在所述基板上方，全部覆盖所述可变电阻层及所述掩模层；以及/n上电极层，设置在所述贵金属层上。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器元件的结构，其特征在于，包括:
基板，所述基板中具有下电极层；
缓冲层，设置在所述基板上与所述下电极层接触；
可变电阻层，围绕所述缓冲层的全部侧壁，由所述基板垂直向上延伸；
掩模层，设置在所述缓冲层与所述可变电阻层上；
贵金属层，在所述基板上方，全部覆盖所述可变电阻层及所述掩模层；以及
上电极层，设置在所述贵金属层上。


2.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述可变电阻层包含过渡金属氧化物层。


3.根据权利要求2所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述缓冲层是氧捕捉层。


4.根据权利要求3所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述缓冲层包含Hf、HfOx、Ta、TaOx、NiOx、TiOx、ZrOx或ZnOx。


5.根据权利要求2所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述过渡金属氧化物层的含氧量是在饱和状态。


6.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述可变电阻层的尺寸是由所述可变电阻层的水平厚度以及所述缓冲层的厚度来决定。


7.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述贵金属层减少氧扩散进入或离开所述可变电阻层。


8.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述上电极层比所述贵金属层厚，所述贵金属层的厚度是在30～50埃的范围内。


9.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述基板包括:
基层，有内联线结构在其中；
内层介电层，在所述基层上，具有开口；
通孔结构，填入所述开口的下部分；以及
所述下电极层，填入所述开口的上部分。


10.根据权利要求1所述的存储器元件的结构，其特征在于，所述基板包括:
基层，有内联线结构在其中；
内层介电层，在所述基层上，具有开口；
通孔结构，填入所述开口的下部分；以及
所述下电极层，在所述内层介电层上，且在所述通孔结构上方，
其中所述贵金属层及所述下电极层之间是至少由所述可变电阻层隔离。


11.一种制造存储器元件的方法，其特征在于，包括:
提供基板，所述基板中具...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海涛，丁莉莉，刘耀鸿，杜国安，李其鲁，宛春雷，林奕佑，陈宇超，李化凯，陈宏岳，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71