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存储器元件的结构及其制造方法技术
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文档序号:26652458
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本发明公开一种存储器元件的结构及其制造方法。存储器元件的结构包括基板,所述基板中具有下电极层。缓冲层设置在所述基板上与所述下电极层接触。可变电阻层全部围绕所述缓冲层的侧壁,由所述基板垂直向上延伸。掩模层设置在所述缓冲层与所述可变电阻层上。贵...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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