一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件制造技术

本发明专利技术公开了一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，其结构为“透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极。”其中有机近红外光敏层包含给体/受体有机平面异质结和给体:受体有机体异质结结构；倒置OLED采用“电子传输层/发光层/空穴传输层”的结构，其中发光层包括荧光和磷光发光材料。由于这种有机近红外上转换器件采用倒置有机发光二极管结构，底电极和顶电极均可以采用高功函数的透明导电氧化物ITO分别作为阴极和阳极，解决了传统有机近红外上转换器件顶电极透光性差的问题，使得全透明有机近红外上转换器件的制备成为可能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件
本专利技术涉及光电子器件的制备领域，具体涉及一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件。
技术介绍
近红外成像器件在夜视、安全、半导体晶片检查以及医学成像等方面具有广阔的应用前景。一种重要的近红外光成像的方法是利用近红外上转换器件将入射的近红外光转换为可见光，直接用肉眼或者相机来观测。有机近红外上转换器件具有制作工艺简单、制备成本低和天然无像素成像等优势。有机近红外上转换器件可以简单地通过将有机近红外光敏层与有机发光单元集成在一起，实现近红外光敏和可见发光的过程。有机近红外光敏功能层通常采用单层、平面异质结或者体异质结结构，而发光单元通常采用常规有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,OLED)的有机功能层结构。在这种有机近红外上转换器件结构中，底电极通常采用透明的导电金属氧化物(铟锡氧化物，ITO)作为阳极，而顶电极通常采用低功函数的金属(例如铝、银或者镁银合金等)作为阴极，由于顶电极的透光性差，器件阳极一侧既用于近红外入射又用于可见光出射，对近红外探测应用造成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，具有如下结构：/n透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极.其中有机近红外光敏层包含给体/受体有机平面异质结和给体:受体有机体异质结结构；倒置OLED采用“电子传输层/发光层/空穴传输层”的结构，其中发光层包括荧光和磷光发光材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于倒置发光结构的透明有机近红外上转换器件，具有如下结构：
透明衬底/ITO阴极/有机近红外光敏层/倒置OLED有机功能层/ITO阳极.其中有机近红外光敏层包含给体/受体有机平面异质结和给体:受体有机体异质结结构；倒置OLED采用“电子传输层/发光层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文理，周震康，彭应全，陆培栋，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33