【技术实现步骤摘要】
一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法
本专利技术属于微电子薄膜材料
，尤其是涉及一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法。
技术介绍
阻变材料的种类有很多，目前氧化物电阻存储器薄膜的应用研究主要以氧化锆、氧化钛、氧化铪等为主。氧化物电阻存储器薄膜具有较高的化学稳定性，可兼容半导体集成工艺进行高密度集成。氧化锆是一种能带间隙较大的P型半导体，因其反转速度快、电压低、电阻开关比较大等优点成为被广泛研究的电阻存储器薄膜之一。截止目前，国内外学者对降低反转电压、提高器件的抗疲劳性以及降低阻变参数的波动性进行了大量研究。材料研究领域已达成共识，可通过提高电极与工作层界面之间氧空位浓度分布来实现。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，用以有效地提高氧空位浓度，进而有效地提高电阻存储器的阻变性能，解决阻变器件参数的波动性问题。为了实现上述目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，将具有纳米格点阵列结构的氧化...
【技术保护点】
1.一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。/n
【技术特征摘要】
1.一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。
2.根据权利要求1所述的格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，其特征在于，纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层的制备方法如下：
纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层的制备方法如下：
步骤1.1，在室温下，将四水合三氯化铟、氯化锡与乙醇混合搅拌8小时后，再将化学修饰剂苯甲酰丙酮加入进行混合并进行加热，加热温度40℃)，金属有机化合物与苯甲酰丙酮发生螯合反应生成相应的螯合物，并将螯合物于室温下干燥5min-10min；其中铟离子：锡离子的摩尔比为：1:(0.001-0.005)，四水合三氯化铟：苯甲酰丙酮的摩尔比为1：(0.1-0.2)，四水合三氯化铟：乙醇的体积比为1:20；
步骤1.2，以波长为325nm的He-Cd激光器为曝光光源，激光器发出的激光经反射、分束、扩束、平行后使得两束相干光在步骤1.1得到的螯合物表面以9.4°入射并发生干涉；干涉光辐照到螯合物表面13min-15min，激光照射结束后，将干涉曝光后的螯合物浸入乙醇溶剂中1min-2...
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