一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法，此方法利用简单的热力学调控，通过烧结温度和时间调控，得到了趋向于30度堆叠角度的石墨烯薄膜结构。此薄膜兼具石墨材料稳定性和乱层石墨或者石墨烯的弱耦合电子云状态。将此薄膜上下用金属连接构成欧姆接触，至于磁场下，随着磁场强度波段，石墨烯膜垂直磁阻会随之变化，因此可以制备成磁阻器件，用于检测磁场强度的变化。

【技术实现步骤摘要】
一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法
本专利技术涉及一种大面积石墨烯基磁阻器件制备方法。
技术介绍
2010年，英国曼彻斯特大学的两位教授AndreGeiM和KonstantinNovoselov因为首次成功分离出稳定的石墨烯获得诺贝尔物理学奖，掀起了全世界对石墨烯研究的热潮。石墨烯有优异的电学性能(室温下电子迁移率可达2×105cM2/Vs)，突出的导热性能(5000W/MK)，超常的比表面积(2630M2/g)、杨氏模量(1100GPa)和断裂强度(125GPa)。石墨烯优异的导电导热性能完全超过金属，同时石墨烯具有耐高温耐腐蚀的优点，而其良好的光学、磁学性质更是为其应用打下了坚实的基础。氧化石墨烯基的石墨烯膜通常都是3000度处理，里面结构完全修复，形成完全的稳定的AB结构，此结构具有优异的热学、化学性质，但是其完美结晶的结构严重降低了其良好的磁学和光学性能。同时完全乱层的石墨烯结构虽然有良好的磁学和光学性能，但是其稳定性以及电学性能较差。因此，急需一种新的堆叠结构，来平衡石墨烯两种极端结构的性质，保留其良好的磁学和光学特征。...

【技术保护点】
1.一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法，其特征在于，该方法为：/n(1)以100℃/min以下的升温速率，将氧化石墨烯膜升温至1800～2100℃以下，并保持4-16h，以降低氧化石墨烯膜的缺陷至0.5％以下，且保持非AB结构。/n(2)以60℃/min以上的升温速率升温到2300～2400℃，然后在10min以内降至1800℃以下，得到亚稳态石墨烯薄膜。/n(3)将得到的亚稳态石墨烯膜贴合于纳米金箔(厚度小于100nm)表面，然后上层用银胶连通，做成垂直电阻器件。/n

【技术特征摘要】
1.一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法，其特征在于，该方法为：
(1)以100℃/min以下的升温速率，将氧化石墨烯膜升温至1800～2100℃以下，并保持4-16h，以降低氧化石墨烯膜的缺陷至0.5％以下，且保持非AB结构。
(2)以60℃/min以上的升温速率升温到2300～2400℃，然后在10min以内降至1800℃以下，得到亚稳态石墨烯薄膜。
(3)将得到的亚稳态石墨烯膜贴合于纳米金箔(厚度小于100nm)表面，然后上层用银胶连通，做成垂直电阻器件。


2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭蠡，文章，高超，
申请(专利权)人：杭州高烯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33