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本发明公开了一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法，此方法利用简单的热力学调控，通过烧结温度和时间调控，得到了趋向于30度堆叠角度的石墨烯薄膜结构。此薄膜兼具石墨材料稳定性和乱层石墨或者石墨烯的弱耦合电子云状态。将此薄膜上下用金属连接构成欧姆...
该专利属于杭州高烯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州高烯科技有限公司授权不得商用。

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