半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一金属间介电层设于该MTJ周围，一金属内连线设于该MTJ上，一第二金属间介电层设于该第一金属内连线上并环绕该金属内连线以及一金属氧化层设于该第二金属间介电层内并环绕该金属内连线。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(MagnetoresistiveRandomAccessMemory,MRAM)及其制作方法。
技术介绍
已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magneticfieldsensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(globalpositioningsystem,GPS)的电子罗盘(electroniccompass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向异性磁阻(anisotropicmagnetoresi本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：/n形成磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于基底上；/n形成第一金属间介电层环绕该磁性隧道结；/n形成蚀刻停止层于该第一金属间介电层上；/n形成第二金属间介电层于该蚀刻停止层上；/n形成图案化硬掩模于该第二金属间介电层上；/n进行第一蚀刻制作工艺以形成一接触洞于该第二金属间介电层内并暴露出该蚀刻停止层；/n进行第二蚀刻制作工艺去除该图案化硬掩模；/n进行第三蚀刻制作工艺去除该蚀刻停止层以及该第一金属间介电层并暴露出该磁性隧道结；以及/n形成一金属内连线于该接触洞内。/n

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：
形成磁性隧道结(magnetictunnelingjunction,MTJ)于基底上；
形成第一金属间介电层环绕该磁性隧道结；
形成蚀刻停止层于该第一金属间介电层上；
形成第二金属间介电层于该蚀刻停止层上；
形成图案化硬掩模于该第二金属间介电层上；
进行第一蚀刻制作工艺以形成一接触洞于该第二金属间介电层内并暴露出该蚀刻停止层；
进行第二蚀刻制作工艺去除该图案化硬掩模；
进行第三蚀刻制作工艺去除该蚀刻停止层以及该第一金属间介电层并暴露出该磁性隧道结；以及
形成一金属内连线于该接触洞内。


2.如权利要求1所述的方法，另包含：
形成图案化掩模于该图案化硬掩模上；
进行第四蚀刻制作工艺去除部分该第二金属间介电层以形成通孔；以及
进行该第一蚀刻制作工艺去除部分该第二金属间介电层以形成该接触洞，其中该接触洞包含沟槽以及该通孔。


3.如权利要求1所述的方法，其中该图案化硬掩模包含氮化钛。


4.如权利要求1所述的方法，其中该第二蚀刻制作工艺包含：
进行湿式清洗制作工艺以去除该图案化硬掩模；以及
在该湿式清洗制作工艺后进行处理制作工艺去除副产物。


5.如权利要求4所述的方法，其中该湿式清洗制作工艺包含利用过氧化氢去除该图案化硬掩模。


6.如权利要求4所述的方法，其中该处理制作工艺包含利用氮气去除副产物。


7.如权利要求1所述的方法，其中该第三蚀刻制作工艺包含利用四氟化碳去除该蚀刻停止层以及该第一金属间介电层并暴露出该...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭致玮，王明俊，曾译苇，赖育聪，廖俊雄，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71