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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件主要包含一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)设于一基底上，一第一金属间介电层设于该MTJ周围，一金属内连线设于该MTJ上，一第二金属间介电层设于...
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