用于光电混合相变存储器的相变材料，其制备方法及光电混合相变存储器技术

本发明专利技术公开了一种用于光电混合相变存储器的相变材料，其制备方法以及包含该相变材料的光电混合相变存储器。所述相变材料为Cr,C共掺杂Sb

【技术实现步骤摘要】
用于光电混合相变存储器的相变材料，其制备方法及光电混合相变存储器
本专利技术涉及光电混合相变存储器
，具体涉及一种用于光电混合相变存储器的相变材料，其制备方法以及光电混合相变存储器。
技术介绍
在半导体市场中，存储器占有重要的地位。利用相变薄膜材料作为存储介质的相变存储器(PCRAM)被认为是最有潜力的下一代非易失性存储器。PCRAM是基于S.R.Ovshinsky在20世纪60年代末、70年代初提出的奥弗辛斯基电子效应的存储器，其关键材料包括作为存储介质的相变薄膜、加热电极材料、绝缘材料和引出电极材料等。PCRAM的基本原理是：施加电学脉冲信号于器件单元，使相变材料在非晶态与晶态之间产生可逆转变，利用材料在高电阻值的非晶态和低电阻值的晶态之间的电阻差异来实现数据存储。Ovshinsky于1992年提出了基于电学信号的可擦写相变存储器的专利(美国专利，专利号：5166758)，以硫系化合物Ge-Sb-Te合金薄膜作为PCRAM的存储介质。直至目前，用于PCRAM的典型材料仍为硫系化合物合金Ge-Sb-Te薄膜，其中以Ge2Sb2T本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料为Cr,C共掺杂Sb

【技术特征摘要】
1.一种用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料为Cr,C共掺杂Sb2Te1化合物。


2.根据权利要求1所述的用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料的通式为CrxCy(Sb2Te1)100-x-y，其中x、y指元素的原子百分比，且满足：0<x<15、0<y<10。


3.根据权利要求2所述的用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料的组分满足：4≤x≤12，2≤y≤6。


4.根据权利要求3所述的用于光电混合相变存储器的相变材料，其特征在于，所述相变材料的组分满足：x＝7.66，y＝4.23。


5.根据权利要求1-4任一项所述的用于光电混合相变存储器的相变材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法选自溅射法、蒸发法、化学气相沉积法、等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘波，胡敬，林聪，魏涛，凌云，李宛飞，程淼，刘倩倩，
申请(专利权)人：苏州科技大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32