阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法技术

提供了一种阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法。该阻变存储器包括至少一个阻变存储元件，该至少一个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，对于每个阻变存储元件，第一电极包括在第一方向上与第二电极交叠的第一部分和与第二电极不交叠的第二部分，第二电极包括在第一方向上与第一电极交叠的第三部分和与第一电极不交叠的第四部分，阻变层设置在第一电极的第一部分与第二电极的第三部分之间，并且第二部分、第一部分和第三部分、第四部分沿第二方向依次排布，第二方向与第一方向垂直。

【技术实现步骤摘要】
阻变存储器、阻变存储器芯片及其制备方法
本公开的实施例涉及一种阻变存储器、阻变存储器芯片及它们的制备方法。
技术介绍
阻变存储器是一种基于阻值变化来记录并存储数据信息的易失性或非易失性存储器，其具有高速度、低功耗的特点，并且可以在小尺寸下实现存储功能。为了进一步改善阻变存储器的结构以及性能，以促进阻变存储器更广泛的应用，可以对阻变存储器的工作状态以及工作机理进行深入、细致的研究。例如，可以采用原位透射电镜测试阻变存储器在工作状态下的微观组织演变过程，从而为阻变存储器的结构以及性能改善提供有价值的实验依据。
技术实现思路
本公开的至少一实施例提供了一种阻变存储器，该阻变存储器包括至少一个阻变存储元件，其中，所述至少一个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，对于所述至少一个阻变存储元件中的每个，所述第一电极包括在所述第一方向上与所述第二电极交叠的第一部分和与所述第二电极不交叠的第二部分，所述第二电极包括在所述第一方向上与所述第一电极交叠的第三部分和与所述第一电极不交叠的第四部分，所述阻变层设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻变存储器，包括至少一个阻变存储元件，其中，所述至少一个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，/n对于所述至少一个阻变存储元件中的每个，所述第一电极包括在所述第一方向上与所述第二电极交叠的第一部分和与所述第二电极不交叠的第二部分，所述第二电极包括在所述第一方向上与所述第一电极交叠的第三部分和与所述第一电极不交叠的第四部分，/n所述阻变层设置在所述第一电极的第一部分与所述第二电极的第三部分之间，并且/n所述第二部分、所述第一部分和所述第三部分、所述第四部分沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直。/n

【技术特征摘要】
1.一种阻变存储器，包括至少一个阻变存储元件，其中，所述至少一个阻变存储元件中的每个包括在第一方向上依次叠层的第一电极、阻变层和第二电极，
对于所述至少一个阻变存储元件中的每个，所述第一电极包括在所述第一方向上与所述第二电极交叠的第一部分和与所述第二电极不交叠的第二部分，所述第二电极包括在所述第一方向上与所述第一电极交叠的第三部分和与所述第一电极不交叠的第四部分，
所述阻变层设置在所述第一电极的第一部分与所述第二电极的第三部分之间，并且
所述第二部分、所述第一部分和所述第三部分、所述第四部分沿第二方向依次排布，所述第二方向与所述第一方向垂直。


2.如权利要求1所述的阻变存储器，其中，所述至少一个阻变存储元件包括多个阻变存储元件，
所述多个阻变存储元件沿所述第二方向依次排布。


3.如权利要求2所述的阻变存储器，其中，相邻两个阻变存储元件中的一个阻变存储器元件的第一电极的第二部分在所述第一方向上与另一个阻变存储元件的第二电极的第四部分至少部分交叠。


4.如权利要求1所述的阻变存储器，所述第一电极和所述第二电极相对于所述阻变层的中心呈中心对称。


5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：高滨，孙雯，李辛毅，唐建石，吴华强，钱鹤，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11