集成电路器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种集成电路器件及其制造方法，其中该集成电路器件包括：包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。

【技术实现步骤摘要】
集成电路器件及其制造方法
实施方式涉及一种集成电路器件及其制造方法。
技术介绍
随着集成电路器件按比例缩小，由电容器占据的空间会减小。
技术实现思路
实施方式针对一种集成电路器件，该集成电路器件包括：下电极，包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层；在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。实施方式还针对一种集成电路器件，该集成电路器件包括：包括有源区的衬底；在有源区上的导电区；以及在导电区上的电容器，该电容器包括：下电极，包括掺杂有Ti的含Nb层；形成在下电极上的电介质层；以及覆盖电介质层的上电极。实施方式还针对一种集成电路器件，该集成电路器件包括：包括有源区的衬底；形成在有源区上的导电区；以及在导电区上的电容器，该电容器包括：下电极，包括从掺杂有Ti的Nb氮化物层、掺杂有Ti的Nb氧化物层和掺杂有Ti的Nb氮氧化物层中选择的至少一种；电介质层，在下电极上并包括金属氧化物层；以及覆盖电介质层的上电极。实施方式还针对一种制造集成电路器件的方法，该方法包括：在衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：/n包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；/n在所述下电极上的电介质层；以及/n覆盖所述电介质层的上电极。/n

【技术特征摘要】
20190611 KR 10-2019-00688011.一种集成电路器件，包括：
包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；
在所述下电极上的电介质层；以及
覆盖所述电介质层的上电极。


2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括主下电极层，所述主下电极层包括掺杂有Ti的Nb氮化物层。


3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
所述下电极包括主下电极层，所述主下电极层包括含有多种掺杂剂的Nb氮化物层，并且
所述多种掺杂剂包括由Ti形成的第一掺杂剂以及由从钴(Co)、锡(Sn)、钒(V)、钽(Ta)、(Db)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)中选择的至少一种形成的第二掺杂剂。


4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：
包括掺杂有Ti的Nb氮化物层的主下电极层；以及
在所述主下电极层和所述电介质层之间的下界面电极层，所述下界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。


5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：
主下电极层，其与所述电介质层间隔开；以及
在所述主下电极层和所述电介质层之间的下界面电极层，所述下界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。


6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中：
所述主下电极层包括TiN层，并且
所述下界面电极层的厚度小于所述主下电极层的厚度。


7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述上电极包括：
主上电极层，其与所述电介质层间隔开；以及
在所述主上电极层和所述电介质层之间的上界面电极层，所述上界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。


8.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括具有不同的Nb原子含量比的多个下电极层，所述多个下电极层中的Nb原子含量比在最靠近所述电介质层的所述下电极层中最大。


9.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述下电极包括具有不同的Nb原子含量比的多个下电极层，只要距所述电介质层最远的所述下电极层不包含Nb。


10.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
所述下电极包括：
与所述电介质层间隔开的主下电极层；以及
多界面电极层，包括在所述主下电极层和所述电介质层之间并具有不同的Nb原子含量比的多个下界面电极层，并且
所述多界面电极层包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层，并且
在所述多个下界面电极层中的每个中的Nb原子含量比朝向所述电介质层逐渐增大。


11.一种集成电路器件，包括：
包括有源区的衬底；
在所述有源区上的导电区；以及
在所述导电区上的电容器，所述电容器包括：
包括掺杂有钛(Ti)的含铌(Nb)层的下电极；
形成在所述下电极上的电介质层；以及
覆盖所述电介质层的上电极。


12.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中：
所述下电极包括主下电极层，所述主下电极层包括掺杂有Ti的Nb氮化物层，并且
所述电介质层包括金属氧化物层。


13.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：
没有Nb的主下电极层；以及
下界面电极层，包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层。


14.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：
圆筒形的主下电极层，在所述导电区上在远离所述衬底的垂直方向上纵向地延伸；以及
下界面电极层，包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化物层，所述下界面电极层覆盖所述圆筒形的主下电极层的外表面和所述圆筒形的主下电极层的内部空间中的内表面。


15.根据权利要求11所述的集成电路器件，其中所述下电极包括：
柱形的主下电极层，在所述导电区上在远离所述衬底的垂直方向上纵向地延伸；以及
下界面电极层，包括掺杂有Ti的Nb氧化物层或掺杂有Ti的Nb氮氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑圭镐，宋政奎，金润洙，李周浩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR