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本发明提供了一种忆阻器，包括衬底、第一电极、氧化铪层和第二电极，各个材料之间依次叠加，功能性材料氧化铪层设置在第一电极和第二电极之间，本发明还公开了一种忆阻器的制备方法和一种忆阻器的阻态依赖阈值开关特性的实现方法，本发明实现了忆阻器的可调控...
该专利属于华南师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南师范大学授权不得商用。

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