存储器单元及其形成方法技术

本发明专利技术公开一种存储器单元及其形成方法，其中该存储器单元包含一第一导电线、一底电极、一纳米碳管层、一中间电极、一电阻层、一顶电极以及一第二导电线。第一导电线设置于一基底上。底电极设置于第一导电线上。纳米碳管层设置于底电极上。中间电极设置于纳米碳管层上，因而底电极、纳米碳管层以及中间电极构成一纳米管存储器部分。电阻层设置于中间电极上。顶电极设置于电阻层上，因而中间电极、电阻层以及顶电极构成一电阻存储器部分。第二导电线设置于顶电极上。

【技术实现步骤摘要】
存储器单元及其形成方法
本专利技术涉及一种存储器单元及其形成方法，且特别是涉及一种整合纳米管存储器及电阻存储器的存储器单元及其形成方法。
技术介绍
数字逻辑电路是用于个人计算机、例如个人万用记事本及计算机的手提电子装置、电子娱乐装置，及电器、电话交换系统、汽车、飞机及制造的其他项目的控制电路。数字逻辑电路可包括各芯片上独立或整合的逻辑及存储器功能，随着电子装置的发展而持续增加逻辑及存储器的积集度量是必须的。其包含，如何发展高存储密集的存储器，使存储器愈加大量的贩售，每位成本更低，作业更快速，并耗费较低的电力等。存储器分为挥发性和非挥发性两大类。当今，挥发性存储器最重要的两类是静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)；非挥发性存储器的种类很多，市场占比最大的是闪存存储器(FLASH)，其他的还有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)、铁电随机存取存储器(FRAM)、相变化随机存取存储器(PRAM)、磁阻式随存取存储器(MRAM)和可变电阻式随机存取存储器(RRAM)等。此外，SRAM、DRAM、FLASH、SO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器单元，其特征在于，包含：/n第一导电线，设置于基底上；/n底电极，设置于该第一导电线上；/n纳米碳管层，设置于该底电极上；/n中间电极，设置于该纳米碳管层上，因而该底电极、该纳米碳管层以及该中间电极构成纳米管存储器部分；/n电阻层，设置于该中间电极上；/n顶电极，设置于该电阻层上，因而该中间电极、该电阻层以及该顶电极构成电阻存储器部分；以及/n第二导电线，设置于该顶电极上。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器单元，其特征在于，包含：
第一导电线，设置于基底上；
底电极，设置于该第一导电线上；
纳米碳管层，设置于该底电极上；
中间电极，设置于该纳米碳管层上，因而该底电极、该纳米碳管层以及该中间电极构成纳米管存储器部分；
电阻层，设置于该中间电极上；
顶电极，设置于该电阻层上，因而该中间电极、该电阻层以及该顶电极构成电阻存储器部分；以及
第二导电线，设置于该顶电极上。


2.如权利要求1所述的存储器单元，其中该第一导电线以及该第二导电线包含金属导线。


3.如权利要求1所述的存储器单元，其中该底电极、该中间电极以及该顶电极包含氮化钛。


4.如权利要求1所述的存储器单元，其中该第一导电线、该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层、该顶电极以及该第二导电线堆叠设置。


5.如权利要求1所述的存储器单元，其中该纳米碳管层包含堆叠的材料层。


6.如权利要求1所述的存储器单元，其中该电阻层包含堆叠的电阻层。


7.如权利要求6所述的存储器单元，其中该电阻层包含由下而上堆叠的氧化钽(TaOx)层以及五氧化二钽(Ta2O5)层。


8.如权利要求1所述的存储器单元，还包含：
第一介电层，设置于该基底上，以及该第一导电线设置于该第一介电层中，其中该第一导电线电连接该底电极。


9.如权利要求8所述的存储器单元，还包含：
盖层，顺应覆盖于该第一介电层上以及该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层以及该顶电极的侧壁。


10.如权利要求8所述的存储器单元，还包含：
第二介电层，设置于该第一介电层上，且该底电极、该纳米碳管层、该中间电极、该电阻层、该顶电极以及该第二导电线都位于该第二介电层中。


11.一种形成存储器单元的方法，包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：林大钧，蔡滨祥，洪雅娟，杨晋嘉，简廷安，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71