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本发明实施例提供一种存储单元和其形成方法。存储单元包含底部电极、蚀刻停止层、可变电阻层以及顶部电极。蚀刻停止层安置在底部电极上。可变电阻层嵌入在蚀刻停止层中且与底部电极接触。顶部电极安置在可变电阻层上。还提供一种具有存储单元的半导体器件。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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