一种相变材料、相变存储单元及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。该相变材料的化学式为Ta

【技术实现步骤摘要】
一种相变材料、相变存储单元及其制备方法
本专利技术属于微电子领域，特别涉及一种相变材料、相变存储单元及其制备方法。
技术介绍
相变存储器(PCM)具有非易失性、微缩性好、可三维集成、读写速度快、功耗低、循环寿命长、与CMOS工艺兼容和抗辐照性能优异等优点，成为新型存储技术中最有力的竞争者，有望成为下一代非挥发存储器的主流存储技术。相变存储器的原理是基于相变材料在电脉冲信号操作下高、低电阻之间的可逆转换来实现“0”和“1”的存储。即在非晶态时相变材料表现出较高的电阻值，而在晶态时则表现出低的电阻值。相变材料是相变存储器的核心。相变材料的性能决定了相变存储器的性能。目前最典型的相变材料是Ge2Sb2Te5，该材料具有循环寿命长、微缩性好的特点，但是该材料存在速度慢、功耗大，非晶态热稳定性差的问题。寻找具有更快相变速度、更低功耗和更好热稳定性的相变材料依然是相变存储器发展的关键。Sb2Te3具有相变速度快的特点，但该材料的结晶温度较低，数据保持力和热稳定性较差，无法满足相变存储器的应用要求。此外，在相变存储器操作过程中，多次反复的高温写擦操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变材料，其特征在于，所述材料的化学式为Ta

【技术特征摘要】
1.一种相变材料，其特征在于，所述材料的化学式为TaaInbSbcTed，其中，1≤a≤15，0.5≤b≤10，1/3≤c/d≤1，a+b+c+d＝100。


2.根据权利要求1所述材料，其特征在于，所述a为2～15，b为2～10，c/d为1/2～1。


3.根据权利要求1所述材料，其特征在于，所述材料的化学式为Ta8.93In9.14Sb38Te43.93，Ta11.55In9.33Sb36.65Te42.47，Ta14.67In9.51Sb35.01Te40.81。


4.一种如权利要求1所述相变材料的制备方法，其特征在于，所述材料采用磁控溅射法、化学气相沉积法、原子层沉积法或者电子束蒸镀法制备而成。


5.一种相变存储器单元，包括下电极层，上电极层以及位于所述下电极层与所述上电极层之间的相变材料层，其特征在于，所述相变材料层为权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋志棠，宋三年，薛媛，王若冰，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31