【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，属于半导体滤光片的加工方法。用半导体硅材料制造的7-14μm红外带通滤光片是很多红外仪器，例如红外报警器、红外探测器、红外传感器等所必需的元件。这种滤光片要求在上述红外光波段有高的透过率。一般用区熔硅单晶制造。这是因为直拉硅单晶的含氧量高，在9μm附近，有一强的氧吸收峰，导致该波段的透过率减小。美国BalzersOpticalCorporation在其出版的“Balzers”的技术信息栏中指出，由于直拉硅单晶的氧含量高，使得在9μm处，有镀层(抗反射镀层)的厚0.5mm的直拉硅单晶滤光片的透过率为66%，而同样条件的区熔硅单晶滤光片的透过率可达75%。二者相比，直拉硅单晶滤光片在9μm波段的透过率约低9%。但是，区熔硅单晶的价格要比直拉硅单晶高得多，导致用区熔硅单晶制造的硅滤光片的成本远高于用直拉硅单晶制造的滤光片。这在我国尤为明显。另外，直拉硅单晶在用于制造半导体集成电路及其它半导体器件时，单晶锭的头、尾部分常因其杂质含量高而弃之不用，这部分废料重新回炉直拉的硅单晶锭在本申请...
【技术保护点】
一种硅红外滤光片的热处理工艺，包括硅片的切、磨、抛光和腐蚀清洗及热处理用石英炉管的ＨＣｌ处理，本专利技术的特征在于：１．在炉温低于４００℃时，装入硅片，２．将炉温升至４００－５５０℃，保温１０－３０小时；然后升温至７００－８００℃，保温１０－３０小时，再升温至８００－９００℃，保温２－５小时，最后升温至９００－１０００℃，保温２－５小时，３．在炉温降至８５０℃以下时，取出硅片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谭淞生，朱建生，李月珍，
申请(专利权)人：中国科学院上海冶金研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。