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一种旨在降低直拉硅单晶氧含量，提高硅红外滤光片透过率的硅片热处理工艺，其特征是将硅片在４００－１０００℃温度间的四段温区逐步升温并保温适当时间并在硅片冷却至８５０℃以下时取出，处理后的直拉硅单晶片在９μｍ处的透过率接近或达到区熔硅单晶的水平...
该专利属于中国科学院上海冶金研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海冶金研究所授权不得商用。

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