【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种300mm硅抛光片的制造工艺，特别是一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺，所述的高温是指使用温度在600-1350°C之间温度，其特点在于利用后续的高温热处理取代正常加工中的单面磨削工艺。
技术介绍
300_硅抛光片的制造工艺主要分为拉晶、切片导角、磨削、抛光、清洗等几个主要工序。其中磨削、抛光工艺的主要目的就是将切片导致的表面粗糙的损伤层去除并获得平整、无缺陷、晶格完好的表面。在300mm硅抛光片制造工艺中，传统的磨片工艺被磨削工艺替代，以获得更好的TTV和几何尺寸，但是也带来了表面损伤层。磨削工艺是用砂轮对硅片减薄，但是砂轮对硅片表面的冲击会导致磨削后硅片表面残余损伤，损伤层厚度在5-10um左右，具体决定于加工的工艺和砂轮的粒径。为了消除磨削工艺导致的微损伤，目前采用两步磨削的工艺或者化学腐蚀工艺来消除磨削损伤层。两步磨削工艺一般是采用双面磨削加单面磨削的方式，即先使用双面磨削对硅片表面粗磨，将切片工艺导致的损 伤层去除，然后通过单面磨削精磨，将双面磨削带来的的损伤层去除。经过精磨的硅片，表面的损伤度和损伤层足够低，在抛光工艺中...
【技术保护点】
一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺，它包括：拉晶、切片导角、双面磨削，双面抛光、最终抛光、高温热处理工序。
【技术特征摘要】
1.一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺，它包括:拉晶、切片导角、双面磨削，双面抛光、最终抛光、高温热处理工序。2.根据权利要求1所述的一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺，其特征在于:所述的高温热处理工序包括: (1)、650°C下将经过清洗的硅片载入(Wl):载片中环境中氧气和水分的含量应小于lppma，达到热平衡后，通入氩气将加热腔内的氮气逐渐置换出去，整个恒温和氮气置换需要约 10-20min ； (2)、当腔体内变成氩气气氛后，对腔体升温到1250-1300°C(W2)，整个升温过程中需要不断充入氩气，氩气的流量在10-50L/min ； (3)、将硅片在1250-1300°C恒温(W3)，恒温时间为30_60min，继续保持氩气的流量在10-50L/min ； (4)、在保证不出现热滑移的前提下，将硅片快速降温到650°C(W8)，氩气的流量在10-80L/min ； (5)、在纯氮气环境下冷却至室温，载片出炉，获得了表层无微应力的硅片。3.根据权利要求1所述的一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺，其特征在于:所述的高温热处理工序包括: (1)、650°C下将经过清洗的硅片载入(Wl):载片中环境中氧气和水分的含量应小于lppma，达到热平衡后，通入氩气将加热腔内的氮气逐渐置换出去，整个恒温和氮气置换需要约 10-20min ； (2)、当腔体内变成氩气气氛后，对腔...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯泉林，闫志瑞，何自强，盛方毓，赵而敬，李宗峰，
申请(专利权)人：有研半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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