一种抗干扰的厚膜集成电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种抗干扰的厚膜集成电路，包括陶瓷基壳，所述陶瓷基壳是由陶瓷下基体和陶瓷基帽构成，所述陶瓷下基体的内侧壁设置有抗干扰金属内层一，所述抗干扰金属内层一的顶端设置有厚膜陶瓷基片，所述厚膜陶瓷基片的顶端设置有厚膜集成电路，所述厚膜集成电路的两端分别均设置有金属引脚，所述厚膜集成电路的顶端设置有若干散热片一，所述散热片一的顶端设置有卡套，所述卡套的内部设置有导热硅胶，所述卡套的顶端设置有散热片二，所述陶瓷基帽的内侧壁设置有抗干扰金属内层二。有益效果：使得厚膜集成电路具有较好的抗干扰抗腐蚀性能，同时使得厚膜集成电路具有较好的散热型，有效提高厚膜集成电路的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种抗干扰的厚膜集成电路
本技术涉及厚膜集成电路
，具体来说，涉及一种抗干扰的厚膜集成电路。
技术介绍
厚膜电路是指在同一基片上采用阵膜工艺（丝网漏印、烧结和电镀等）制作无源网络并组装上分立的半导体器件、单片集成电路或微型元件而构成的集成电路。通常认为厚度为几微米至几十微米的膜为厚膜，制作厚膜的材料为导体、电阻、介质、绝缘和包封等五种浆料。厚膜集成电路工艺简便、成本低廉、能耐较大的功率，因此使用较为广泛。但是现有的厚膜集成电路防干扰、防腐蚀和散热性能差，影响其使用寿命。针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种抗干扰的厚膜集成电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。为此，本技术采用的具体技术方案如下：一种抗干扰的厚膜集成电路，包括陶瓷基壳，所述陶瓷基壳是由陶瓷下基体和陶瓷基帽构成，所述陶瓷下基体的内侧壁设置有抗干扰金属内层一，所述抗干扰金属内层一的顶端设置有厚膜陶瓷基片，所述厚膜陶瓷基片的顶端设置有厚膜集成电路，所述厚膜集成电路的两端分别均设置有穿插于所述陶瓷基壳的金属引脚，所述厚膜集成电路的顶端设置有若干散热片一，所述散热片一的顶端设置有卡套，所述卡套的内部设置有导热硅胶，所述卡套的顶端设置有穿插于所述陶瓷基帽的散热片二，所述陶瓷基帽的内侧壁设置有抗干扰金属内层二。进一步的，所述陶瓷下基体和所述抗干扰金属内层一顶部的两端分别均开设有与所述金属引脚相匹配的槽孔，所述槽孔的内部设置有绝缘垫片。进一步的，所述陶瓷下基体和所述陶瓷基帽之间通过黏胶层固定连接。进一步的，所述抗干扰金属内层一的顶端开设有若干插槽，所述抗干扰金属内层二的底端设置有若干与所述插槽相匹配的插柱。进一步的，所述散热片二上设置有与所述卡套相匹配的挡片。进一步的，所述卡套为绝缘材质。进一步的，所述散热片一和所述散热片二均为铝材质，所述抗干扰金属内层一和所述抗干扰金属内层二均为铬和金材质。本技术的有益效果为：通过设置由陶瓷基壳、陶瓷下基体、陶瓷基帽、抗干扰金属内层一、厚膜陶瓷基片、金属引脚、散热片一、卡套、导热硅胶、散热片二、抗干扰金属内层二、槽孔、绝缘垫片、黏胶层、插槽、插柱和挡片构成的抗干扰的厚膜集成电路，从而使得厚膜集成电路具有较好的抗干扰抗腐蚀性能，同时使得厚膜集成电路具有较好的散热型，有效提高厚膜集成电路的使用寿命。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例的一种抗干扰的厚膜集成电路的结构示意图；图2是根据本技术实施例的一种抗干扰的厚膜集成电路的陶瓷下基体俯视图。图中：1、陶瓷基壳；2、陶瓷下基体；3、陶瓷基帽；4、抗干扰金属内层一；5、厚膜陶瓷基片；6、厚膜集成电路；7、金属引脚；8、散热片一；9、卡套；10、导热硅胶；11、散热片二；12、抗干扰金属内层二；13、槽孔；14、绝缘垫片；15、黏胶层；16、插槽；17、插柱；18、挡片。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图，这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点，图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。根据本技术的实施例，提供了一种抗干扰的厚膜集成电路。实施例一：如图1-2所示，根据本技术实施例的抗干扰的厚膜集成电路，包括陶瓷基壳1，所述陶瓷基壳1是由陶瓷下基体2和陶瓷基帽3构成，所述陶瓷下基体2的内侧壁设置有抗干扰金属内层一4，所述抗干扰金属内层一4的顶端设置有厚膜陶瓷基片5，所述厚膜陶瓷基片5的顶端设置有厚膜集成电路6，所述厚膜集成电路6的两端分别均设置有穿插于所述陶瓷基壳1的金属引脚7，所述厚膜集成电路6的顶端设置有若干散热片一8，所述散热片一8的顶端设置有卡套9，所述卡套9的内部设置有导热硅胶10，所述卡套9的顶端设置有穿插于所述陶瓷基帽3的散热片二11，所述陶瓷基帽3的内侧壁设置有抗干扰金属内层二12。借助于上述技术方案，通过设置由陶瓷基壳1、陶瓷下基体2、陶瓷基帽3、抗干扰金属内层一4、厚膜陶瓷基片5、金属引脚7、散热片一8、卡套9、导热硅胶10、散热片二11、抗干扰金属内层二12、槽孔13、绝缘垫片14、黏胶层15、插槽16、插柱17和挡片18构成的抗干扰的厚膜集成电路，从而使得厚膜集成电路具有较好的抗干扰抗腐蚀性能，同时使得厚膜集成电路具有较好的散热型，有效提高厚膜集成电路的使用寿命。实施例二：如图1-2所示，所述陶瓷下基体2和所述抗干扰金属内层一4顶部的两端分别均开设有与所述金属引脚7相匹配的槽孔13，所述槽孔13的内部设置有绝缘垫片14，所述陶瓷下基体2和所述陶瓷基帽3之间通过黏胶层15固定连接，所述抗干扰金属内层一4的顶端开设有若干插槽16，所述抗干扰金属内层二12的底端设置有若干与所述插槽16相匹配的插柱17，所述散热片二11上设置有与所述卡套9相匹配的挡片18，所述卡套9为绝缘材质，所述散热片一8和所述散热片二11均为铝材质，所述抗干扰金属内层一4和所述抗干扰金属内层二12均为铬和金材质。从图1-2中可以看出，所述陶瓷下基体2和所述抗干扰金属内层一4顶部的两端分别均开设有与所述金属引脚7相匹配的槽孔13，所述槽孔13的内部设置有绝缘垫片14，所述陶瓷下基体2和所述陶瓷基帽3之间通过黏胶层15固定连接，所述抗干扰金属内层一4的顶端开设有若干插槽16，所述抗干扰金属内层二12的底端设置有若干与所述插槽16相匹配的插柱17，所述散热片二11上设置有与所述卡套9相匹配的挡片18，对于槽孔13、绝缘垫片14、黏胶层15、插槽16、插柱17和挡片18的设计，是比较常规的故此不做详细的说明。为了方便理解本技术的上述技术方案，以下就本技术在实际过程中的工作原理或者操作方式进行详细说明。在实际应用时，通过抗干扰金属内层一4和抗干扰金属内层二12能够抵抗外部干扰，通过陶瓷下基体2和陶瓷基帽3构成的陶瓷基壳1能够抗腐蚀，避免造成厚膜集成电路6的腐蚀，通过散热片一8、卡套9、导热硅胶10、散热片二11，使得厚膜集成电路6具有较好的散热型。综上所述，借助于本技术的上述技术方案，通过设置由陶瓷基壳1、陶瓷下基体2、陶瓷基帽3、抗干扰金属内层一4、厚膜陶瓷基片5、金属引脚7、散热片一8、卡套9、导热硅胶10、散热片二11、抗干扰金属内层二12、槽孔13、绝缘垫片14、黏胶层15、插槽16、插柱17和挡片18构成的抗干扰本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗干扰的厚膜集成电路，其特征在于，包括陶瓷基壳（1），所述陶瓷基壳（1）是由陶瓷下基体（2）和陶瓷基帽（3）构成，所述陶瓷下基体（2）的内侧壁设置有抗干扰金属内层一（4），所述抗干扰金属内层一（4）的顶端设置有厚膜陶瓷基片（5），所述厚膜陶瓷基片（5）的顶端设置有厚膜集成电路（6），所述厚膜集成电路（6）的两端分别均设置有穿插于所述陶瓷基壳（1）的金属引脚（7），所述厚膜集成电路（6）的顶端设置有若干散热片一（8），所述散热片一（8）的顶端设置有卡套（9），所述卡套（9）的内部设置有导热硅胶（10），所述卡套（9）的顶端设置有穿插于所述陶瓷基帽（3）的散热片二（11），所述陶瓷基帽（3）的内侧壁设置有抗干扰金属内层二（12）。/n

【技术特征摘要】
1.一种抗干扰的厚膜集成电路，其特征在于，包括陶瓷基壳（1），所述陶瓷基壳（1）是由陶瓷下基体（2）和陶瓷基帽（3）构成，所述陶瓷下基体（2）的内侧壁设置有抗干扰金属内层一（4），所述抗干扰金属内层一（4）的顶端设置有厚膜陶瓷基片（5），所述厚膜陶瓷基片（5）的顶端设置有厚膜集成电路（6），所述厚膜集成电路（6）的两端分别均设置有穿插于所述陶瓷基壳（1）的金属引脚（7），所述厚膜集成电路（6）的顶端设置有若干散热片一（8），所述散热片一（8）的顶端设置有卡套（9），所述卡套（9）的内部设置有导热硅胶（10），所述卡套（9）的顶端设置有穿插于所述陶瓷基帽（3）的散热片二（11），所述陶瓷基帽（3）的内侧壁设置有抗干扰金属内层二（12）。


2.根据权利要求1所述的一种抗干扰的厚膜集成电路，其特征在于，所述陶瓷下基体（2）和所述抗干扰金属内层一（4）顶部的两端分别均开设有与所述金属引脚（7）相匹配的槽孔（13），所述槽孔（13）的内部设置有绝缘...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟聪，陈保青，冯嘉俊，
申请(专利权)人：广东天泓新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44