具有屏蔽件的半导体装置制造方法及图纸

具有屏蔽件的半导体装置。一种半导体装置包含引线框、电子装置、封装主体以及第一屏蔽板。所述引线框包含裸片安装结构、信号引线、第一屏蔽件引线、第二屏蔽件引线，以及跨越所述第一屏蔽件引线和所述第二屏蔽件引线的第一屏蔽件安装件。所述电子装置可以安装到所述裸片安装结构且可以耦合到所述信号引线。所述封装主体囊封所述电子装置和所述引线框，使得(i)所述第一屏蔽件引线、所述第二屏蔽件引线以及所述信号引线中的每一个包含延伸超出所述封装主体的外部表面的外部部分，且(ii)所述第一屏蔽件安装件延伸超出所述封装主体的所述外部表面。所述第一屏蔽板可以耦合到所述第一屏蔽件安装件。

【技术实现步骤摘要】
具有屏蔽件的半导体装置
本专利技术的各种态样大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及引线框半导体装置。
技术介绍
现有的半导体装置和用于形成半导体装置的方法是不适当的，例如，导致成本过量、可靠性降低、性能相对低、热性质不佳或封装大小过大。通过比较此类方法与本专利技术并参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。
技术实现思路
在本专利技术的一态样中，一种半导体装置，其包括：引线框，其包括信号引线和第一屏蔽件引线；电子装置，其安装到所述引线框且耦合到所述信号引线；封装主体，其包括外部表面，所述外部表面具有主体顶部表面、与所述主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将所述主体顶部表面耦合到所述主体底部表面的主体侧表面，所述封装主体囊封所述电子装置和所述引线框，使得所述第一屏蔽件引线和所述信号引线中的每一个包含延伸超出所述封装主体的所述外部表面的外部部分；以及第一电磁干扰(EMI)屏蔽件，其耦合到所述第一屏蔽件引线的所述外部部分。在半导体装置中，所述引线框包括第二屏蔽件引线；所述第二屏蔽件引线的外部部分延伸超本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其包括：/n引线框，其包括信号引线和第一屏蔽件引线；/n电子装置，其安装到所述引线框且耦合到所述信号引线；/n封装主体，其包括外部表面，所述外部表面具有主体顶部表面、与所述主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将所述主体顶部表面耦合到所述主体底部表面的主体侧表面，/n所述封装主体囊封所述电子装置和所述引线框，使得所述第一屏蔽件引线和所述信号引线中的每一个包含延伸超出所述封装主体的所述外部表面的外部部分；以及/n第一电磁干扰屏蔽件，其耦合到所述第一屏蔽件引线的所述外部部分。/n

【技术特征摘要】
20190620 US 16/447,2221.一种半导体装置，其包括：
引线框，其包括信号引线和第一屏蔽件引线；
电子装置，其安装到所述引线框且耦合到所述信号引线；
封装主体，其包括外部表面，所述外部表面具有主体顶部表面、与所述主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将所述主体顶部表面耦合到所述主体底部表面的主体侧表面，
所述封装主体囊封所述电子装置和所述引线框，使得所述第一屏蔽件引线和所述信号引线中的每一个包含延伸超出所述封装主体的所述外部表面的外部部分；以及
第一电磁干扰屏蔽件，其耦合到所述第一屏蔽件引线的所述外部部分。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述引线框包括第二屏蔽件引线；
所述第二屏蔽件引线的外部部分延伸超出所述封装主体的所述外部表面；且
半导体封装包括耦合到所述第二屏蔽件引线的所述外部部分的第二电磁干扰屏蔽件。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中：
所述第一电磁干扰屏蔽件覆盖所述封装主体的所述主体顶部表面的一部分；且
所述第二电磁干扰屏蔽件覆盖所述封装主体的所述主体底部表面的一部分。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电磁干扰屏蔽件包括沿着所述封装主体的所述外部表面的导电涂层。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电磁干扰屏蔽件包括附接到所述封装主体的所述外部表面的导电板。


6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述引线框包括第二屏蔽件引线；
所述第一屏蔽件引线的所述外部部分从所述主体侧表面的第一侧表面延伸；
所述第二屏蔽件引线的外部部分从所述主体侧表面的与所述第一侧表面相对的第二侧表面延伸；且
所述第一电磁干扰屏蔽件电耦合到所述第二屏蔽件引线的所述外部部分。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：
屏蔽件安装件，其在所述第一屏蔽件引线的所述外部部分的远端处且比所述第一屏蔽件引线的所述外部部分宽；且
所述第一电磁干扰屏蔽件经由所述屏蔽件安装件电耦合到所述第一屏蔽件引线。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述引线框包括第二屏蔽件引线；
所述第二屏蔽件引线的外部部分延伸超出所述封装主体的所述外部表面；
所述半导体装置进一步包括屏蔽件安装件，其跨越所述第一屏蔽件引线的所述外部部分和所述第二屏蔽件引线的所述外部部分；且
所述第一电磁干扰屏蔽件经由所述屏蔽件安装件耦合到所述第一屏蔽件引线和所述第二屏蔽件引线。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述引线框的一部分穿过所述封装主体的所述主体底部表面暴露出来。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：
所述主体侧表面包括第一侧表面、与所述第一侧表面相对的第二侧表面、第三侧表面，以及与所述第三侧表面相对的第四侧表面；
所述信号引线包括延伸穿过所述第一侧表面的第一信号引线、延伸穿过所述第二侧表面的第二信号引线、...

【专利技术属性】
技术研发人员：松田吉雄，西川健二，佐藤诚一郎，池本吉彦，
申请(专利权)人：安靠科技日本公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP