半导体封装件及其制造方法技术

本发明专利技术提供在半导体器件的芯片两面上形成的电极与布线之间构筑热可靠性高的接合的接合方法。本发明专利技术的半导体封装件的制造方法包括以下步骤：以夹持接合膜的方式将半导体芯片接合于第一基板；在上述半导体芯片上形成第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜中形成第一通孔；以通过上述第一通孔与上述半导体芯片电连接的方式在上述第一绝缘膜上形成第一布线；在上述接合膜中形成第二通孔；以及以通过上述第二通孔与上述半导体芯片电连接的方式在上述半导体芯片之下形成第二布线。体芯片之下形成第二布线。体芯片之下形成第二布线。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装件，例如安装有功率半导体器件的半导体封装件及其制造方法。

技术介绍

[0002]功率半导体器件是以电力的转换和控制为基本功能的半导体器件。上述功率半导体器件不仅在针对家电或OA(办公自动化)设备所用的逆变器或小型电机中的应用上起到重要的作用，而且还在司掌发电厂的电力系统、在电车或汽车等的电机驱动系统等中的电力转换或控制方面起到重要的作用。作为功率半导体器件的代表性器件，可以举出例如具有pn结二极管结构或肖特基势垒二极管结构的整流二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等的功率晶体管及晶闸管等。如在日本特表2012
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164817号公报、日本特开平9
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74193号公报及日本特开2001
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352009号公报中所公开的，通常的功率半导体器件被作为在上面和下面具有一个或更多的电极(端子)的半导体芯片(以下也称为芯片)而供给，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：半导体芯片；绝缘结构，具有第一通孔，其中所述半导体芯片借由所述绝缘结构所覆盖且在所述绝缘结构中；第一布线，位于所述半导体芯片上，且所述第一布线通过所述第一通孔与所述半导体芯片耦接；接合膜，具有至少一个第二通孔且位于所述半导体芯片之下；以及第二布线，位于所述接合膜下，且所述第二布线通过所述第二通孔与所述半导体芯片耦接；第三通孔，位于所述绝缘结构中；以及第三布线，位于所述绝缘结构之下，且通过所述第三通孔与所述第一布线耦接；其中所述绝缘结构所包括的材料与所述接合膜所包括的材料互不相同，且所述第三布线与所述第二布线电绝缘。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述半导体芯片在所述半导体芯片之下和之上分别具有第一端子和第二端子，以及所述半导体芯片分别通过所述第一端子和所述第二端子与所述第二布线和所述第一布线电连接。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其进一步包括：第三端子，设置在所述半导体芯片之上，且与所述第二端子电绝缘；第四布线，位于所述半导体芯片之上，且通过在所述绝缘结构中的第四通孔与所述第三端子耦接；第五通孔，位于所述绝缘结构中；以及第五布线，位于所述绝缘结构之下，且通过所述第五通孔与所述第四布线耦接，其中：所述第四通孔比所述第一通孔宽；所述第五布线、所述第三布线以及所述第二布线存在于同一层内；以及所述第一布线以及所述第四布线存在于同一层内。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述第二布线具有第一宽度；所述半导体芯片具有第二宽度；以及所述第一宽度大于所述第二宽度。5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述第二布线以及所述第三布线存在于同一层内。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述第一布线包括电解镀覆的布线。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中：所述接合膜的所述至少一个第二通孔的数量为多个；以及所述第二布线重叠所述接合膜且延伸到多个所述第二通孔的每一者中以接触所述第一端子的部分。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其进一步包括：
基板，包括穿通孔和基板布线，其中：所述半导体芯片用所述接合膜接合到所述基板以重叠所述穿通孔；所述接合膜进一步包括多个通孔；所述穿通孔与所述多个通孔对齐；所述第二布线是在所述基板之下且通过所述穿通孔和所述多个通孔与所述半导体芯片电连接；以及所述第三布线通过所述基板布线和所述第三通孔与所述第一布线电连接。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述接合膜为绝缘材料。10.一种半导体封装件，包括：半导体芯片；顶表面；底表面，与所述顶表面相对；侧表面，在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林直毅，
申请(专利权)人：安靠科技日本公司，
类型：发明
国别省市：