【技术实现步骤摘要】
集成电路装置
本公开的示例大体上涉及半导体装置，并且特别地，涉及针对堆叠式芯片封装中使用的非I/O裸片的静电放电(ESD)保护以及具有静电放电保护的芯片封装。
技术介绍
电子装置(诸如平板电脑、计算机、复印机、数码相机，智能电话、控制系统和自动柜员机等)通常采用利用芯片封装组件的电子部件以增加功能性和更高的组件密度。常规的芯片封装方案通常利用封装衬底，通常与硅通孔(TSV)中介层衬底结合，以使多个集成电路(IC)裸片能够被安装到单个封装衬底上。IC裸片可以包括存储器、逻辑或其他IC装置。一些IC封装包括彼此堆叠的多个裸片(称为堆叠式IC组件)。在堆叠式IC组件中，与封装或中介层衬底接触的裸片被称为输入/输出(I/O)裸片，而在I/O裸片上堆叠的裸片被称为非I/O裸片。为了防止损坏集成电路，裸片通常包括用于静电放电(ESD)保护的电路系统。在大多数常规应用中，I/O裸片包括ESD布线，ESD布线提供从封装衬底上的焊料凸块降至I/O裸片的有源电路系统的低电阻路径。常规的ESD布线可以包括双二极管和功率钳位器。常规功率钳位...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：/n具有第一主体的第一裸片，所述第一主体包括无源区域和有源区域；/n第一接触垫，暴露于所述第一主体的表面，所述第一接触垫被配置为连接到第一电源电压；/n第二接触垫，暴露于所述第一主体的所述表面，所述第二接触垫被配置为连接到第二电源电压或接地；/n第一电荷敏感电路系统，被形成在所述第一主体中并且耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及/n第一RC钳位器，被形成在所述第一主体中并且耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间，所述第一RC钳位器包括：/n至少两个BigFET，耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及/n触发器电路系...
【技术特征摘要】
20190423 US 16/392,4601.一种集成电路装置，其特征在于，包括：
具有第一主体的第一裸片，所述第一主体包括无源区域和有源区域；
第一接触垫，暴露于所述第一主体的表面，所述第一接触垫被配置为连接到第一电源电压；
第二接触垫，暴露于所述第一主体的所述表面，所述第二接触垫被配置为连接到第二电源电压或接地；
第一电荷敏感电路系统，被形成在所述第一主体中并且耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及
第一RC钳位器，被形成在所述第一主体中并且耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间，所述第一RC钳位器包括：
至少两个BigFET，耦合在所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及
触发器电路系统，与所述至少两个BigFET的栅极端子并联耦合。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，所述第一主体包括：
多个FEOL层，包括氧化物层，所述氧化物层形成所述至少两个BigFET中的第一BigFET的栅极氧化物层。
3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：
第二裸片，具有在RC钳位器中的BigFET，所述第二裸片的所述RC钳位器的BigFET的氧化物栅极层比所述第一裸片的所述第一BigFET的所述栅极氧化物层更厚。
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二裸片的所述氧化物栅极层的厚度是所述第一裸片的所述第一BigFET的所述栅极氧化物层厚度的至少两倍。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：
扩散防护环，将至少两个BigFET中的第一BigFET与至少两个BigFET的第二BigFET分离。
6.根据权利要求5所述的集成电路装置，其特征在于，将分离所述第一BigFET的所述扩散防护环形成环绕所述第一BigFET的防护环的一部分。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，还包括：
具有第二主体的第二裸片，所述第二主体包括无源区域和有源区域，所述第二主体的所述有源区域耦合至所述第一主体的所述有源区域；
第一接触垫，暴露于所述第二主体的表面，并且机械且电耦合至所述第一主体的所述第一接触垫；
第二接触垫，暴露于所述第二主体的所述表面，并且机械且电耦合至所述第一主体的所述第二接触垫；
第二电荷敏感电路系统，被形成在所述第二主体中，并且耦合在暴露于所述第二裸片的所述表面上的所述第一接触垫和所述第二接触垫之间；以及
第二RC钳位器，被形成在所述第二主体中，并且耦合在所述第二裸片的所述第一接触垫和所述第二接触垫之间。
8.根据权利要求7所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二RC钳位器包括：
单个BigFET。
9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其特征在于，所述第二RC钳位器的所述单个BigFET的栅极氧化物层比所述第一RC钳位器的栅极氧化物层更厚。
10.根据权利要...
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