【技术实现步骤摘要】
一种ESD防护封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种ESD防护封装结构及其制造方法,属于半导体封装
技术介绍
目前电子产品集成度越来越高,对ESD(Electro-Staticdischarge,静电释放)的敏感度越来越高,预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。目前大部分措施都是用上了PN结/二极管、三极管、MOS管等构成的防护电路或模块。基于多种原因,IC内部的ESD保护功能有些折衷,硅片和金属都针对IC的核心功能作了优化,不适合用于大电流工作。另外,具有大电流ESD保护功能的I/O单元会占用相当大的空间,从而推升IC成本。而且IC上的高频引脚通常没办法附加大尺寸的ESD保护电路,因为它会产生容性负载。同时,静电释放的过程中,不仅会有电,而且会产生热,这些都会造成影响。封装端目前主流措施是在板级内加入ESD防护器件,尺寸、占用空间较大。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种ESD防护封装结构及其制造方法,它将重布线层、散热金属片和LC电路集成到一个叠层封 ...
【技术保护点】
1.一种ESD防护封装结构,其特征在于:它包括第一封装体(1)和第二封装体(2),所述第一封装体(1)堆叠设置于第二封装体(2)上;/n所述第一封装体(1)包括第一重布线层(11),所述第一重布线层(11)背面贴装有第一散热金属片(12),所述第一重布线层(11)正面贴装有第一芯片(13),所述第一芯片(13)外围包封有第一塑封料(14);/n所述第二封装体(2)包括第二重布线层(21),所述第二重布线层(21)背面贴装有第二散热金属片(22),所述第二重布线层(21)正面贴装有第二芯片(23),所述第二芯片(23)外围包封有第二塑封料(24),所述第二重布线层(21)内设 ...
【技术特征摘要】
1.一种ESD防护封装结构,其特征在于:它包括第一封装体(1)和第二封装体(2),所述第一封装体(1)堆叠设置于第二封装体(2)上;
所述第一封装体(1)包括第一重布线层(11),所述第一重布线层(11)背面贴装有第一散热金属片(12),所述第一重布线层(11)正面贴装有第一芯片(13),所述第一芯片(13)外围包封有第一塑封料(14);
所述第二封装体(2)包括第二重布线层(21),所述第二重布线层(21)背面贴装有第二散热金属片(22),所述第二重布线层(21)正面贴装有第二芯片(23),所述第二芯片(23)外围包封有第二塑封料(24),所述第二重布线层(21)内设置有第二散热金属柱(25),所述第二散热金属柱(25)下端与第二散热金属片(22)相连接,所述第二散热金属柱(25)上端贯穿整个第二塑封料(24)后与第一散热金属片(12)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种ESD防护封装结构,其特征在于:所述第二塑封料(24)内设置有电性金属柱(26),所述第一重布线层(11)和第二重布线层(21)通过电性金属柱(26)电性连接。
3.根据权利要求1所述的一种ESD防护封装结构,其特征在于:所述第二芯片(23)上表面露出于第二塑封料(24)并与第一散热金属片(12)相接触。
4.根据权利要求1所述的一种ESD防护封装结构,其特征在于:所述第一重布线层(11)包括多层第一重布线(11.1)和第一绝缘材料(11.2),所述第一绝缘材料(11.2)上开设有第一散热金属孔(11.3),所述第一散热金属柱(15)设置于第一散热金属孔(11.3)内;所述第一散热金属片(12)上设置有第一开口(12.1),所述第一重布线(11.1)背面设置有第一外接触点(11.4),所述第一外接触点(11.4)的位置与第一开口(12.1)的位置相对应,所述第一外接触点(11.4)从第一开口(12.1)位置露出。
5.根据权利要求1所述的一种ESD防护封装结构,其特征在于:所述第二重布线层(21)包括多层第二重布线(21.1)和第二绝缘材料(21.2),所述第二绝缘材料(21.2)上开设有第二散热金属孔(21.3),所述第二散热金属柱(25)设置于第二散热金属孔(21.3)内;所述第二散热金属片(22)上设置有第二开口(22.1),所述第二重布线(21.1)背面设置有第二外接触点(21.4),所述第二外接触点(21.4)的位置...
【专利技术属性】
技术研发人员:李全兵,刘丽虹,沈天华,程琛,曹烨,
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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