【技术实现步骤摘要】
一种芯片静电防护电路、集成电路及用电设备
本申请涉及电路保护
,尤其涉及一种芯片静电防护电路、集成电路及用电设备。
技术介绍
随着集成电路的发展,芯片采用先进的工艺,性能越来越好。然而这些先进的工艺削弱了芯片对静电放电的承受能力,同时人们对于芯片静电释放(Electro-Staticdischarge,ESD)的防护要求也越来越高。目前芯片对静电放电的防护器件主要有二极管、电阻、双极型晶体管,但因为静电放电时间短,能量大,往往对电路产生瞬间的冲击,常导致电路中各防护器件的损坏,若较大的静电电流流入芯片,则可能造成芯片内部损坏。同时,伴随静电放电,在一定范围内还可能会产生较强的电磁场,干扰芯片的正常运行。因此,如何提供芯片对静电放电的防护能力,是目前行业内亟待解决的问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种芯片静电防护电路、集成电路及用电设备,用于解决芯片因静电放电可能导致芯片损坏、工作异常的问题。第一方面,本申请实施例提供一种芯片静电防护电路,包括:芯片和尖峰电路;所 ...
【技术保护点】
1.一种芯片静电防护电路,其特征在于,包括:芯片和尖峰电路;/n所述芯片的电源引脚与电源连接,所述芯片的接地引脚与地连接;/n所述尖峰电路包括第一覆铜块和第二覆铜块,所述第一覆铜块与所述芯片的电源引脚连接,所述第二覆铜块与所述芯片的接地引脚连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种芯片静电防护电路,其特征在于,包括:芯片和尖峰电路;
所述芯片的电源引脚与电源连接,所述芯片的接地引脚与地连接;
所述尖峰电路包括第一覆铜块和第二覆铜块,所述第一覆铜块与所述芯片的电源引脚连接,所述第二覆铜块与所述芯片的接地引脚连接。
2.根据权利要求1所述的芯片静电防护电路,其特征在于,还包括:去耦电容;
所述去耦电容的两端分别与所述芯片的电源引脚、接地引脚连接。
3.根据权利要求2所述的芯片静电防护电路,其特征在于,所述去耦电容的电容值为0.1uf±10%。
4.根据权利要求1所述的芯片静电防护电路,其特征在于,所述第一覆铜块和所述第二覆铜块均为三角形。
5...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾子雄,廖常浩,吴洪清,祝慧,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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