在存储块之间具有稳定结构的三维存储器件以及用于形成其的方法技术

公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：在平面图中的多个存储块；以及在平面图中横向地延伸以将存储块中的相邻存储块隔开的至少一个稳定结构。存储块中的每个存储块包括：存储堆叠体，其包括垂直地交错的导电层和第一电介质层；以及多个沟道结构，其各自垂直地延伸穿过存储堆叠体。稳定结构包括电介质堆叠体，电介质堆叠体包括垂直地交错的第二电介质层和第一电介质层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在存储块之间具有稳定结构的三维存储器件以及用于形成其的方法
本公开内容的各实施例涉及三维(3D)存储器件以及其制造方法。
技术介绍
通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，将平面存储单元缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性并且成本高。结果，平面存储单元的存储密度接近上限。3D存储架构可以解决平面存储单元中的密度限制。3D存储架构包括存储阵列和用于控制进出存储阵列的信号的外围器件。
技术实现思路
本文公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，一种3D存储器件包括：在平面图中的多个存储块；以及在所述平面图中横向地延伸以将所述存储块中的相邻存储块隔开的至少一个稳定结构。所述存储块中的每个存储块包括：存储堆叠体，其包括垂直地交错的导电层和第一电介质层；以及多个沟道结构，其各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠体。所述稳定结构包括电介质堆叠体，所述电介质堆叠体包括垂直地交错的第二电介质层和所述第一电介质层。在另一示例中，一种3D存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储器件，包括：/n在平面图中的多个存储块，其中，所述存储块中的每个存储块包括：/n存储堆叠体，其包括垂直地交错的导电层和第一电介质层；以及/n多个沟道结构，其各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠体；以及/n在所述平面图中横向地延伸以将所述存储块中的相邻存储块隔开的至少一个稳定结构，其中，所述稳定结构包括电介质堆叠体，所述电介质堆叠体包括垂直地交错的第二电介质层和所述第一电介质层。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三维(3D)存储器件，包括：
在平面图中的多个存储块，其中，所述存储块中的每个存储块包括：
存储堆叠体，其包括垂直地交错的导电层和第一电介质层；以及
多个沟道结构，其各自垂直地延伸穿过所述存储堆叠体；以及
在所述平面图中横向地延伸以将所述存储块中的相邻存储块隔开的至少一个稳定结构，其中，所述稳定结构包括电介质堆叠体，所述电介质堆叠体包括垂直地交错的第二电介质层和所述第一电介质层。


2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述多个存储块被布置在第一横向方向上，并且所述至少一个稳定结构在所述平面图中在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上延伸。


3.根据权利要求1或2所述的3D存储器件，其中，所述第一电介质层中的每个第一电介质层横向地延伸跨越所述稳定结构和所述存储堆叠体。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件，其中，所述第一电介质层包括氧化硅，并且所述第二电介质层包括氮化硅。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的3D存储器件，其中，所述稳定结构还包括残留牺牲层和残留停止层。


6.根据权利要求5所述的3D存储器件，其中，所述残留牺牲层包括多晶硅或氮化硅，并且所述残留停止层包括氧化硅。


7.根据权利要求5或6所述的3D存储器件，其中，所述存储块中的每个存储块还包括半导体层，所述沟道结构中的每个沟道结构进一步垂直地延伸穿过所述半导体层，所述半导体层是与所述残留牺牲层和所述残留停止层共面的。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的3D存储器件，其中，所述存储块中的每个存储块还包括具有“H”切口的至少一个缝隙结构，所述缝隙结构垂直地延伸穿过所述存储堆叠体并且横向地延伸以在所述平面图中在相应存储块中形成多个存储指。


9.一种三维(3D)存储器件，包括：
在平面图中被布置在第一横向方向上的多个存储块，所述存储块中的每个存储块包括被布置在所述第一横向方向上的多个存储指以及具有“H”切口的至少一个缝隙结构，所述至少一个缝隙结构各自在所述第一横向方向上在所述存储指的相邻存储指之间，所述存储指中的每个存储指包括沟道结构的阵列；以及
至少一个稳定结构，其各自在所述第一横向方向上在所述存储块中的相邻存储块之间，其中，所述稳定结构包括电介质堆叠体，所述电介质堆叠体包括垂直地交错的第一电介质层和第二电介质层。


10.根据权利要求9所述的3D存储器件，其中，在所述平面图中，所述至少一个稳定结构在垂直于所述第一横向方向的第二横向方向上延伸。


11.根据权利要求9或10所述的3D存储器件，其中，所述第一电介质层包括氧化硅，并且所述第二电介质层包括氮化硅。


12.根据权利要求9-11中任一项所述的3D存储器件，其中，所述稳定结构还包括残留牺牲层和残留停止层。


13.根据权利要求12所述的3D存储器件，其中，所述残留牺牲层包括多晶硅或氮化硅，并且所述残留停止层包括氧化硅。


14.根据权利要求12或13所述的3D存储器件，其中，所述存储块中的每个存储块还包括与所述残留牺牲层和所述残留停止层共面的半导体层。


15.根据权利要求9-14中任一项所述的3D存储器件，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42