本发明专利技术涉及一种半导体装置封装(package)，其包含再分布层、第一半导体装置、第二半导体装置、第一绝缘主体和第二绝缘主体。所述第一半导体装置可以安置在所述再分布层上。所述第二半导体装置可以堆叠在所述第一半导体装置上。所述第一绝缘主体可以安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间。所述第一绝缘主体可能具有多个第一颗粒。所述第二绝缘主体可以囊封(encapsulate)所述第一绝缘主体并且具有多个第二颗粒。所述多个第一颗粒中的一个可以具有平坦表面。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装及其制造方法
本专利技术涉及半导体装置封装及其制造方法。
技术介绍
半导体装置封装可包含在衬底上堆叠到彼此的一些半导体装置，然而，在将半导体装置堆叠到衬底上中可能消耗相对大量的时间。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实例实施例，半导体装置封装包含再分布层、第一半导体装置、第二半导体装置、第一绝缘主体和第二绝缘主体。第一半导体装置可以安置在再分布层上。第二半导体装置可以堆叠在第一半导体装置上。第一绝缘主体可以安置在第一半导体装置与第二半导体装置之间。第一绝缘主体可能具有多个第一颗粒。第二绝缘主体可以囊封第一绝缘主体并且具有多个第二颗粒。多个第一颗粒中的一个可以具有平坦表面。根据本专利技术的一些实例实施例，半导体装置封装包含再分布层、第一半导体装置、第二半导体装置、第一绝缘主体和第二绝缘主体。第一半导体装置可以安置在再分布层上。第一半导体装置可能具有第一横向表面。第二半导体装置可以堆叠在第一半导体装置上。第二半导体装置可能具有第一横向表面。第一绝缘主体可以安置在第一半导体装置与第二半导体装置之间。第一绝缘主体可能具有第一横向表面。第二绝缘主体可以囊封第一绝缘主体。第一绝缘主体的第一横向表面可以与第二半导体装置的第一横向表面基本上共面。根据本专利技术的一些实例实施例，制造半导体装置封装的方法包含：提供包含多个第一半导体装置的晶片；在晶片上形成第二半导体装置的多个堆叠；以及通过第一绝缘材料囊封第二半导体装置的多个堆叠和晶片。附图说明当结合附图阅读时，从以下详细描述容易理解本专利技术的方面。应注意，各个特征可能并不按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各个特征的尺寸。图1A是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的截面图。图1B是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图1C是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图1D是如图1A中所示的虚线圆A中的结构的放大视图。图1E是如图1A中所示的虚线框B中的结构的放大视图。图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F、图2G、图2H、图2I和图2J说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的方法的各个阶段。图2A、图2B、图2C、图2D、图2K、图2L、图2M、图2N、图2O和图2P说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图2A、图2B、图2Q、图2R、图2S、图2T、图2U、图2V和图2W说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图3A是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图3B是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图3C是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图3D是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图3E是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图3F是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图2A、图2B、图2C、图4A、图4B、图4C、图4D和图4E说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图2A、图2B、图2C、图4F、图4G、图4H、图4I和图4J说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图2A、图2B、图2C、图4A、图4B、图4C、图4K和图4L说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图2A、图2B、图2C、图4F、图4G、图4H、图4M和图4N说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图2A、图2B、图4O、图4P、图4Q、图4R、图4S和图4T说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图2A、图2B、图4O、图4P、图4Q、图4R、图4U和图4V说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图5是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图5A是如图5中所示的虚线圆K中的结构的放大视图。图5B是如图5中所示的虚线框L中的结构的放大视图。图6A、图6B、图6C、图6D、图6E、图6F和图6G说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。图7是根据本专利技术的一些实施例的另一半导体装置封装的截面图。图7A是如图7中所示的虚线框M中的结构的放大视图。图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8G说明根据本申请的一些实施例用于制造半导体装置封装的另一方法的各个阶段。具体实施方式以下公开内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例。当然，这些仅是实例且并不意图是限制性的。在本专利技术中，在以下描述中对第一特征在第二特征之上或上的形成的参考可包含第一特征与第二特征直接接触形成的实施例，并且还可包含额外特征可形成于第一特征与第二特征之间从而使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。另外，本专利技术可能在各种实例中重复参考标号和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不规定所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。下文详细论述了本专利技术的实施例。然而，应了解，本专利技术提供了可在多种多样的特定情境中实施的许多适用的概念。所论述的特定实施例仅仅是说明性的且并不限制本专利技术的范围。图1A是根据本专利技术的一些实施例的半导体装置封装的截面图。参考图1A，半导体装置封装1a可包含再分布层10、半导体装置11、12和14、互连件13、绝缘主体15、另一绝缘主体16和连接元件17。再分布层10可包含再分布结构103或电路103。再分布层10可包含单层结构。再分布层10可包含多层结构。再分布层10可包含衬底。再分布层10可包含扇出层。再分布层10可包含绝缘材料或介电材料(未在图1A中表示)。再分布层10可包含核心或相对硬质材料。再分布层10可包含柔性或相对柔软的材料。再分布层10可包含表面101和与表面101相对的另一表面102。再分布结构103可包含一些导电元件，例如但不限于，导电迹线、衬垫、触点(例如，导电触点104)、通孔。再分布结构103可以具有等于或小于近似地12微米(μm)的间距。再分布结构103可以具有等于或小于近似地12/12μm的线宽/空间。再分布结构103可以具有等于或小于近似地10μm的间距。再分布结构103可以具有等于或小于近似地10/10μm的线宽/空间。再分布结构103可以具有等于或小于近似地8μm的间距。再分布结构103可以具有等于或小于近似地8/8μm的线宽/空间。再分布结构103可以具有等于或小于近似地5μm的间距。再分布结构103可以具有等于或小于近似地5/5μm的线宽/空间。再分布结构103可以具有等于或小于近似地2μm本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：/n再分布层；/n第一半导体装置，其安置在所述再分布层上；/n第二半导体装置，其堆叠在所述第一半导体装置上；/n第一绝缘主体，其安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间，所述/n第一绝缘主体具有多个第一颗粒；以及/n第二绝缘主体，其囊封所述第一绝缘主体并且具有多个第二颗粒，/n其中所述多个第一颗粒中的一个具有平坦表面。/n
【技术特征摘要】
20190620 US 16/447,8051.一种半导体装置封装，其包括：
再分布层；
第一半导体装置，其安置在所述再分布层上；
第二半导体装置，其堆叠在所述第一半导体装置上；
第一绝缘主体，其安置在所述第一半导体装置与所述第二半导体装置之间，所述
第一绝缘主体具有多个第一颗粒；以及
第二绝缘主体，其囊封所述第一绝缘主体并且具有多个第二颗粒，
其中所述多个第一颗粒中的一个具有平坦表面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述多个第一颗粒中的所述一个的所述平坦表面与所述第一绝缘主体的第一表面基本上共面。
3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述多个第一颗粒中的所述一个的所述平坦表面与所述第二绝缘主体直接接触。
4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二绝缘主体的一部分安置在所述再分布层与所述第一半导体装置之间。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二半导体装置具有大于所述第一半导体装置的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二半导体装置的第一表面从所述第二绝缘主体暴露。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一绝缘主体具有凹形表面。
8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述凹形表面邻近于所述第一半导体装置。
9.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述第二绝缘主体具有与所述第一绝缘主体的所述凹形表面啮合的凸形表面。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一半导体装置具有第一导电触点，所述第一导电触点具有第一宽度，并且所述第二半导体装置具有第一导电触点，并且其中所述半导体装置封装进一步包括在所述第一半导体装置的所述第一导电触点与所述第二半导体装置的所述第一导电触点之间的互连件，并且所述互连件具有最大宽度，并且其中所述互连件的所述最大宽度基本上与所述第一宽度相同。
11.根据权利要求10所述的半导体装置封装，其中所述互连件的所述最大宽度基本...
【专利技术属性】
技术研发人员：方绪南，翁振源，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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