图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法技术

本公开涉及一种图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法，用于解决相关技术中像素之间存在串扰的技术问题。所述图像传感器包括：位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构；所述边缘像素结构包括衬底以及倾斜铺设于所述衬底上的第一光电二极管，所述第一光电二极管朝所述中心像素结构倾斜。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法
本公开涉及图像传感器领域，具体地，涉及一种图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法。
技术介绍
图像传感器是相机的关键组成单元，功能是把光信号转换为数字图像。图像传感器包含像素阵列，逻辑控制阵列，数字成像处理等模块。其中像素阵列是把光信号转换为模拟电信号。通常像素阵列采用bayer结构，红绿蓝像素周期性的排列，随着像素尺寸越来越小，像素之间的串扰随之增大。
技术实现思路
本公开提供一种图像传感器、终端以及图像传感器的制造方法，以解决相关技术中像素之间存在串扰的技术问题。为实现上述目的，本公开实施例的第一方面，提供一种图像传感器，包括：位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构；所述边缘像素结构包括衬底以及倾斜铺设于所述衬底上的第一光电二极管，所述第一光电二极管朝所述中心像素结构倾斜。可选地，所述边缘像素结构还包括：第一浅槽隔离，设于所述第一光电二极管两侧；第一阱隔离，连接于所述第一浅槽隔离。可选地，所述第一阱隔离倾斜设置于所述第一光电二极管的两侧，且所述第一阱隔离倾斜的方向与所述第一光电二极管倾斜的方向一致。可选地，所述边缘像素结构还包括：第一金属互联层，连接于所述第一光电二极管，所述第一金属互联层设置于所述第一浅槽隔离上方，相邻的所述第一金属互联层之间设有第一通孔；第一彩色滤镜，铺设于所述第一金属互联层上方；第一微透镜，铺设于所述第一彩色滤镜上且位于所述第一通孔上方。可选地，所述第一微透镜横跨于相邻的两个所述第一通孔。可选地，所述中心像素结构包括：第二光电二极管，竖向铺设于所述衬底上；第二浅槽隔离，设于所述第二光电二极管两侧；第二阱隔离，连接于所述第二浅槽隔离且竖向设于所述第二光电二极管两侧；第二金属互联层，连接于所述第二光电二极管，所述第二金属互联层设置于所述第二浅槽隔离上方，相邻的所述第二金属互联层之间设有第二通孔；第二彩色滤镜，铺设于所述第二金属互联层上方；第二微透镜，铺设于所述第二彩色滤镜上且位于所述第二通孔上方。可选地，所述第一光电二极管的倾斜角度与所述第一光电二极管和所述中心像素结构之间的距离正相关。本公开实施例的第二方面，提供一种终端，所述终端包括上述第一方面中任一项所述的图像传感器。本公开实施例的第三方面，提供一种图像传感器的制造方法，包括：第一步骤：在提供的衬底上形成浅槽隔离后，在所述浅槽隔离上以第一注入能量注入第一剂量的第一类型离子以形成阱隔离；第二步骤：平移第一预设距离，在形成的所述阱隔离上以第二注入能量注入第二剂量的第一类型离子以继续形成阱隔离；第三步骤：重复上述第二步骤n次以形成倾斜的阱隔离，且每次重复的步骤中注入的能量和剂量不同，其中，n为大于1的整数；第四步骤：在相邻的阱隔离之间以预设的注入能量和注入剂量注入与所述第一类型离子不同的第二类型离子以形成倾斜铺设于所述衬底上的光电二极管。可选地，其特征在于，所述第一步骤为：在所述浅槽隔离上注入P型离子或N型离子，注入能量为60k电子伏至80k电子伏，注入剂量为3e12离子/平方厘米至3.5e12离子/平方厘米；所述第二步骤为：平移第一预设距离，在形成的所述阱隔离上再次注入P型离子或N型离子，注入能量为110k电子伏至130k电子伏，注入剂量为2e12离子/平方厘米至2.5e12离子/平方厘米；所述第三步骤为：平移第二预设距离，在形成的所述阱隔离上再次注入P型离子或N型离子，注入能量为150k电子伏至170k电子伏，注入剂量为1e12离子/平方厘米至1.5e12离子/平方厘米；所述第四步骤为：在相邻的阱隔离之间注入N型离子或P型离子，注入能量为170k电子伏至190k电子伏，注入剂量为0.5e12离子/平方厘米至1e12离子/平方厘米，以形成N型光电二极管或P型光电二极管。采用上述技术方案，至少能够达到如下技术效果：本公开通过将边缘像素结构中的第一光电二极管倾斜铺设于衬底上，所述第一光电二极管的倾斜度与入射到所述衬底中的信号光线的入射角匹配，进而，使入射光尽可能的被第一光电二极管吸收而不影响相邻像素中的光电二极管，这样，像素与像素之间的串扰得到减轻，解决了相关技术中像素之间存在串扰的技术问题。本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：图1是本公开一示例性实施例示出的一种图像传感器中的边缘像素结构的剖视图。图2是本公开一示例性实施例示出的一种图像传感器中的中心像素结构的剖视图。图3是本公开一示例性实施例示出的边缘像素结构的抗串扰示意图。图4是本公开一示例性实施例示出的一种图像传感器的制造方法流程图。图5至图8是本公开一示例性实施例示出的边缘像素结构的制作示意图。图9是本公开一示例性实施例示出的光入射到像素阵列上的示意图。图10是本公开一示例性实施例示出的光入射到像素结构上的示意图。具体实施方式以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。本公开图像传感器包括位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构。先对中心像素结构进行阐释，图2是本公开一示例性实施例示出的一种图像传感器中的中心像素结构的剖视图。如图2所示，所述中心像素结构包括：第二光电二极管22、第二浅槽隔离23、第二阱隔离24、第二金属互联层25、第二彩色滤镜26以及第二微透镜27。其中，第二浅槽隔离23的作用是隔离第二光电二极管22之间的漏电，第二阱隔离24的作用是减小第二光电二极管22之间的光学串扰。第二金属互联层25用于给第二光电二极管22提供电气连接。第二彩色滤镜26的作用是选择性透过不同颜色的光，如蓝色滤镜，选择透过蓝色的光，其他颜色的光不透过。及第二微透镜27用于聚光，以提升像素的量子效率。继续参照图2，第二光电二极管22竖向铺设于衬底11上，第二浅槽隔离23设于第二光电二极管22两侧；第二阱隔离24连接于第二浅槽隔离23且竖向设于第二光电二极管22两侧；第二金属互联层25连接于所述第二光电二极管22，所述第二金属互联层25设置于所述第二浅槽隔离23上方，相邻的所述第二金属互联层25之间设有第二通孔250；第二彩色滤镜26铺设于所述第二金属互联层25上方；第二微透镜27铺设于所述第二彩色滤镜26上且位于第二通孔250上方。请参照图2和图9，在图9中，附图标记91为入射光信号，附图标记92为镜头主光轴，附图标记93为镜头，附图标记94为像素阵列，附图标记S90为边缘区域。入射光线91从镜头93入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构；/n所述边缘像素结构包括衬底以及倾斜铺设于所述衬底上的第一光电二极管，所述第一光电二极管朝所述中心像素结构倾斜。/n

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括位于中心区域的中心像素结构和围设于所述中心像素结构的边缘像素结构；
所述边缘像素结构包括衬底以及倾斜铺设于所述衬底上的第一光电二极管，所述第一光电二极管朝所述中心像素结构倾斜。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述边缘像素结构还包括：
第一浅槽隔离，设于所述第一光电二极管两侧；
第一阱隔离，连接于所述第一浅槽隔离。


3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一阱隔离倾斜设置于所述第一光电二极管的两侧，且所述第一阱隔离倾斜的方向与所述第一光电二极管倾斜的方向一致。


4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述边缘像素结构还包括：
第一金属互联层，连接于所述第一光电二极管，所述第一金属互联层设置于所述第一浅槽隔离上方，相邻的所述第一金属互联层之间设有第一通孔；
第一彩色滤镜，铺设于所述第一金属互联层上方；
第一微透镜，铺设于所述第一彩色滤镜上且位于所述第一通孔上方。


5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一微透镜横跨于相邻的两个所述第一通孔。


6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述中心像素结构包括：
第二光电二极管，竖向铺设于所述衬底上；
第二浅槽隔离，设于所述第二光电二极管两侧；
第二阱隔离，连接于所述第二浅槽隔离且竖向设于所述第二光电二极管两侧；
第二金属互联层，连接于所述第二光电二极管，所述第二金属互联层设置于所述第二浅槽隔离上方，相邻的所述第二金属互联层之间设有第二通孔；
第二彩色滤镜，铺设于所述第二金属互联层上方；
第二微透镜，铺设于所述第二彩色滤镜上且位于所述第二通孔上方。


7.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘坤，谢勇，张成强，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44