曝光装置及物品制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供曝光装置及物品制造方法。有利于兼顾投影光学系统的光学性能的校正性能与生产率。曝光装置具有：投影光学系统，将掩模的图案投影到基板；供给部，将折射率互不相同的多种气体以预先设定的混合率即设定混合比来混合而得的混合气体供给到投影光学系统的内部的光学元件间的空间；控制部，通过控制设定混合比来对投影光学系统的成像特性进行校正并对基板进行曝光。控制部获取表示供给部以固定的混合比供给混合气体时的成像特性的演变的响应特性，控制部在将设定混合比设定为目标混合比并对基板进行曝光时，在成像特性转变为稳定状态之前的过渡期间中，将设定混合比设定为基于响应特性对目标混合比进行校正而得的值并对基板进行曝光。

【技术实现步骤摘要】
曝光装置及物品制造方法
本专利技术涉及曝光装置及物品制造方法。
技术介绍
伴随着近年来半导体器件的高集成化的发展，对曝光装置的光学性能的要求也越来越高。作为妨碍曝光装置的光学性能提高的重要原因，能够列举出光学性能会受到投影光学系统内外的气压变化、温度变化等环境变化的影响。针对这样的环境变化，存在如下方法，向投影光学系统内的空间供给折射率不同的两种以上气体，通过改变气体的混合率来使空间的折射率变化来校正倍率像差(例如专利文献1、2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平5-210049号公报专利文献2：日本特开平5-144700号公报。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在改变气体的混合率来校正投影光学系统的光学性能的情况下，在投影光学系统的空间内置换气体并至光学性能稳定为止需要长时间。以往，在光学性能稳定之前，曝光装置停止曝光并待机。因此，曝光装置的停机时间长，生产率下降。本专利技术的目的在于提供例如有利于兼顾投影光学系统的光学性能的校正性能与生产率这两者的曝光装置。用于解决问题的方案根据本专利技术的第一方面，提供对基板进行曝光的曝光装置，所述曝光装置特征在于，具有：投影光学系统，其将掩模的图案投影到所述基板；供给部，其将混合气体供给到所述投影光学系统的内部的光学元件间的空间，所述混合气体是将折射率互不相同的多种气体以预先设定的混合率即设定混合比进行混合而得的；以及控制部，其通过控制所述设定混合比来对所述投影光学系统的成像特性进行校正并对所述基板进行曝光，所述控制部获取如下响应特性，该响应特性表示所述供给部以固定的混合比来供给混合气体时的所述成像特性的演变(变化)，所述控制部在将所述设定混合比设定为目标混合比并对所述基板进行曝光时，在所述成像特性转变为稳定状态之前的过渡期间中，所述控制部将所述设定混合比设定为基于所述响应特性来对所述目标混合比进行校正而得的值并对所述基板进行曝光。根据本专利技术的第二方面，提供物品制造方法，其特征在于，包括：使用上述第一方面所涉及的曝光装置来对基板进行曝光的工序；以及对被曝光了的所述基板进行显影的工序，其中，从被显影了的所述基板来制造物品。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供例如有利于兼顾投影光学系统的光学性能的校正性能与生产率这两者的曝光装置。附图说明图1是示出实施方式中的曝光装置的结构的图。图2是示出实施方式中的与投影光学系统的光学性能的校正相伴随的曝光处理的流程图。图3是示出混合气体置换中的像差的响应特性的例子的图。图4是示出球面像差的变化量相对于混合气体的混合比的变化而言所存在的比例关系的图。附图标记说明1：曝光装置；2：照明系统；3：掩模；5：投影光学系统；9：基板台；10：基板；25：控制部；30：供给部。具体实施方式以下，参照附图对实施方式详细地进行说明。另外，以下的本实施方式并非对权利要求涉及的专利技术进行限定。在本实施方式中记载了多个特征，但所有这些特征对专利技术而言并非都是必需的，此外，多个特征也可以任意地组合。另外，在附图中，对同一或者相同的结构赋予同一附图标记，并省略重复说明。图1是示出本实施方式中的曝光装置1的结构的图。在一个例子中，曝光装置1是以步进重复(stepandrepeat)方式来将掩模3的图案曝光到基板10的曝光装置。但是，本专利技术也可以应用于步进扫描(stepandscan)方式以及其他曝光装置。照明系统2调整来自波长约365nm的汞灯、波长约248nm的KrF准分子激光器、波长约193nm的ArF准分子激光器等未图示的光源的光，并对掩模3照明。掩模3例如由石英玻璃构成，形成有要转印到基板10上的图案(例如电路图案)。掩模台4能够保持掩模3，利用例如直线电机来调整掩模3的位置及姿态中的至少一者。掩模台4的驱动被控制部25控制。投影光学系统5将掩模3的图案以规定的倍率(例如1/4倍)投影到基板10上。基板10是例如由玻璃板(glassplate)、硅片(Siliconwafer)等形成的基板。在基板10的表面涂布有感光剂11。投影光学系统5包括多个光学元件6(例如透镜(lens)、反射镜(mirror)、开口光圈等光学要素)。多个光学元件6中的部分光学元件的位置、姿态、形状及温度中的至少一者能够被调整部7调整。基板台9能够保持基板10，利用例如直线电机来调整基板10的位置及姿态中的至少一者。基板台9的驱动被控制部25控制。激光干涉仪14配置在基板台9的附近，通过将激光照射向在基板台9配置的条形镜(barmirror)12来测量基板台9的位置。曝光装置1具有供给部30，该供给部30将折射率互不相同的多种气体混合而得的混合气体供给到投影光学系统5的内部的光学元件间的空间。在供给部30中，气体供给部15、16将折射率互不相同的多种气体供给到混合器19。多种气体可以是例如从氦气、氮气、氧气、二氧化碳、干燥空气等中选择的多种气体。供气量调整器17、18分别调整来自气体供给部15、16的气体的供给量。混合器19将从气体供给部15、16供给的至少两种不同的气体混合，将混合气体经由供气配管21供给到投影光学系统5。浓度测量器20测定混合气体中各气体的浓度。利用这样的供给部30，能够供给以预先设定的混合率即设定混合比来混合而得的混合气体。供给到投影光学系统5的混合气体经由在支承光学元件6的调整部7设置的通气孔8来扩散到光学元件间的空间。通气孔8也可以是不处于调整部7，而是处于固定地支承光学元件6的未图示的部件。排气部22将气体从投影光学系统5经由排气配管24排出。在排气配管24设置有对要从排气部22排出的排气量进行调节的排气量调整部23。控制部25基于由气压计26测量出的气压值，控制排气量调整部23来调整排气量，使得消除投影光学系统5内外的气压差。检测器13检测从投影光学系统5透过的光。检测器13能包括例如干涉仪和光强度传感器中的至少任一者。控制部25能够基于检测器13的检测结果，测量在投影光学系统5的曝光区域内的各点处的波前像差。此外，控制部25还能够基于检测器13的检测结果，测量投影光学系统5的畸变像差。在此，畸变像差例如是表示像平面上的实际的像高与理想像高偏差了多少量，能够在像平面上(曝光区域内)的各点处测定出畸变像差。另外，检测器13可以应用公知的任意结构，因此在此省略了对详细的构造及操作的说明。调整部7调整成像特性，在此，例如调整投影光学系统5的多个光学元件6中的部分光学元件的位置、姿态、形状及温度中的至少一者。调整部7例如包括在光轴方向(图1所示的Z方向)以及与光轴方向垂直的方向进行驱动的机构、对支承光学元件的支承部进行驱动的机构、对光学元件施加应力(按压或者牵引光学元件的力)的机构、将光学元件加热或冷却的机构等。调整部7中的这些驱动被控制部25控制。不过，只要调整部是通过进行对投影光学系统5的光学元件6的驱动、对掩模台4的驱动、对基板台9的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光装置，对基板进行曝光，该曝光装置的特征在于，具有：/n投影光学系统，其将掩模的图案投影到所述基板；/n供给部，其将混合气体供给到所述投影光学系统的内部的光学元件间的空间，所述混合气体是将折射率互不相同的多种气体以作为设定混合比的预先设定的混合率来混合而得的；以及/n控制部，其通过控制所述设定混合比来对所述投影光学系统的成像特性进行校正并对所述基板进行曝光，/n所述控制部获取如下响应特性，该响应特性表示由所述供给部以固定的混合比来供给混合气体时的所述成像特性的演变，/n所述控制部在将所述设定混合比设定为目标混合比并对所述基板进行曝光时，在所述成像特性转变为稳定状态之前的过渡期间中，所述控制部将所述设定混合比设定为基于所述响应特性对所述目标混合比进行校正而得的值并对所述基板进行曝光。/n

【技术特征摘要】
20190618 JP 2019-1130491.一种曝光装置，对基板进行曝光，该曝光装置的特征在于，具有：
投影光学系统，其将掩模的图案投影到所述基板；
供给部，其将混合气体供给到所述投影光学系统的内部的光学元件间的空间，所述混合气体是将折射率互不相同的多种气体以作为设定混合比的预先设定的混合率来混合而得的；以及
控制部，其通过控制所述设定混合比来对所述投影光学系统的成像特性进行校正并对所述基板进行曝光，
所述控制部获取如下响应特性，该响应特性表示由所述供给部以固定的混合比来供给混合气体时的所述成像特性的演变，
所述控制部在将所述设定混合比设定为目标混合比并对所述基板进行曝光时，在所述成像特性转变为稳定状态之前的过渡期间中，所述控制部将所述设定混合比设定为基于所述响应特性对所述目标混合比进行校正而得的值并对所述基板进行曝光。


2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，
在所述过渡期间经过后，所述控制部将所述设定混合比设定为所述目标混合比并对所述基板进行曝光。


3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，
还具有调整部，该调整部调整所述成像特性，
所述控制部通过控制所述设定混合比，来对多个像差分量中的作为所述成像特性的第一像差分量进行校正，
与在所述过渡期间中由所述控制部变更了所述设定混合比的情形相应地，所述调整部对所述第一像差分量以外的作为所述成像特性的其他像差分量进行校正。


4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，还具有：
掩模台，其保持所述掩模；以及
基板台，其保持所述基板，
所述调整部通过进行对所述投影光学系统的光学元件的驱动、对所述掩模台的驱动以及对所述基板台的驱动中的至少一者，来调整...

【专利技术属性】
技术研发人员：漆原宏亮，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP