一种光刻装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光刻装置，包括：对应分设于测量工位和曝光工位下方的第一工件台和第二工件台，所述第一工件台和所述第二工件台在完成针对各自放置的晶圆的操作后，通过作相对水平旋转，实现在所述测量工位和所述曝光工位之间的位置交换。本发明专利技术采用双工件台构架的光刻机设计，两个工件台可以同时进行2片硅片操作，并可在完成各自硅片的操作后，通过整体作180度旋转来实现工位交换，因而能节省曝光之外的待机时间，从而有效提高了产能。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻装置
本专利技术涉及集成电路制造光刻设备
，特别是涉及一种具有旋转交换双工件台的光刻装置。
技术介绍
为了提高产能，现有的光刻机一般是采用如同荷兰ASML公司的双工件台技术，或者是采用日本Nikon公司的串列工件台技术。请参考图1，图1是荷兰ASML公司的双工件台光刻机曝光方法示意图。如图1a所示，在光刻机的测量工位和曝光工位上各设有一个工件台，每个工件台上放置一个硅片1、2。每个工件台的四角上设有用于对准等用途的传感器，例如TIS传感器等。其中，位于测量工位上的硅片1可通过TIS传感器进行坐标对准和调平；同时，位于曝光工位上的硅片2可通过TIS传感器进行掩模版对准，并曝光。之后，两个工件台通过水平移动方式交换工位，移动后，两个工件台的方位保持不变，如图1b所示。然后，交换到测量工位上的硅片2可通过TIS传感器进行坐标对准和调平；同时，交换到曝光工位上的硅片1可通过TIS传感器进行掩模版对准，并曝光，如图1c所示。请参考图2，图2是日本Nikon公司的串列工件台光刻机曝光方法示意图。如图2a所示，其设置一个工件台和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括：对应分设于测量工位和曝光工位下方的第一工件台和第二工件台，所述第一工件台和所述第二工件台在完成针对各自放置的晶圆的操作后，通过作相对水平旋转，实现在所述测量工位和所述曝光工位之间的位置交换。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻装置，其特征在于，包括：对应分设于测量工位和曝光工位下方的第一工件台和第二工件台，所述第一工件台和所述第二工件台在完成针对各自放置的晶圆的操作后，通过作相对水平旋转，实现在所述测量工位和所述曝光工位之间的位置交换。


2.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述第一工件台和所述第二工件台共设于一旋转平台的两端上，所述旋转平台通过水平旋转，带动所述第一工件台和所述第二工件台在所述测量工位和所述曝光工位之间交换位置。


3.根据权利要求2所述的光刻装置，其特征在于，所述旋转平台下方设有驱动其旋转的磁悬浮平面电机。


4.根据权利要求3所述的光刻装置，其特征在于，所述磁悬浮平面电机包括设于所述旋转平台下方的永磁平面电机定子和对应设于所述旋转平台底面上的平面电机线圈。


5.根据权利要求4所述的光刻装置，其特征在于，所述永磁平面电机定子还作为平衡质量体。


6.根据权利要求4所述的光刻装置，其特征在于，所述永磁平面电机定子采用哈尔巴赫排布方式设置。


7.根据权利要求1所述的光刻装置，其特征在于，所述第一工件台和所述第二工件台各自通过一套水平双频干涉仪进行位置测控。


8.根据权利要求7所述的光刻装置，其特征在于，所述水平双频干涉仪至少为6轴水平双频干涉仪。


9.根据权利要求8所述的光刻装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍强，李艳丽，顾峥，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31