【技术实现步骤摘要】
一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法
本专利技术涉及一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法，属于半导体材料
技术介绍
传统的硅衬底材料单面化学机械抛光(CMP)方法，通常是采用有蜡贴片的方式，将硅片粘贴在非常平坦的夹具上，放在单面抛光机上抛光。硅片与夹具之间只有一层厚度在0.5～2微米之间的蜡膜，粘接着二者，保证硅片与夹具之间的紧密连接。如果硅片与夹具之间混杂了硬颗粒物，而且颗粒物的直径超过了蜡膜的厚度，在抛光机的高压力下，颗粒物所处的位置会形成一个应力点，并在抛光完成后，在颗粒物对应抛光面的位置形成一个深坑，成为Dimple缺陷。使得硅片的局部平整度变差，在后面的光刻工序不能接受带有该种缺陷的硅衬底片。为避免此种情况的产生，各厂家通常会在有蜡贴片前，用SC-1搭配超声的方式，或者用软毛刷子刷洗的方式，清洗掉吸附在硅片表面的颗粒并甩干。但此种方式只适合去除空气中飘落到硅片表面，靠静电吸附的颗粒。对于范德华作用力和原子作用力吸附的颗粒，则显得无能为力。对于低电阻率的重掺硅衬底片，通常会出...
【技术保护点】
1.一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)使用单面抛光机对背封片的背封面进行清洁处理，抛光机提供的压强为50～100g/cm
【技术特征摘要】
1.一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)使用单面抛光机对背封片的背封面进行清洁处理，抛光机提供的压强为50～100g/cm2，清洗液为纯水，流量4～20L/min，抛光时间为1～100分钟；
(2)对步骤(1)处理过的背封片进行清洗并甩干，清洗液为含过氧化氢和氨的混合溶液；
(3)用有蜡贴片的方式对背封片做粗、中、精抛光。
2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述步骤(1)中用于清洁处理的抛光布为聚氨酯材质，其表面硬度为40～60Aske-C。
3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林霖，史训达，刘云霞，陈克强，杨少坤，周莹莹，李奇，李兰军，
申请(专利权)人：有研半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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