制造氧化硅薄膜和光学多层膜的方法技术

本发明专利技术提供一种制造氧化硅薄膜的方法，因而能以高沉积速率连续形成具有一致光学常数如折射率、吸收系数等的薄膜。该方法包括：使用包含碳化硅和硅的溅射靶，其Ｃ与Ｓｉ的原子数比为０．５－０．９５，在含氧化气体的气氛中，用频率为１－１，０００ｋＨｚ交流电进行ＡＣ溅射，在一基片上沉积氧化硅薄膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及制造氧化硅薄膜的方法以及使用该薄膜制造光学多层膜的方法。
技术介绍
氧化硅薄膜能用于各种应用，作为低折射率薄膜。氧化硅薄膜可通过真空蒸发法、涂布法等沉积。然而，应用例如施用在建筑物用的玻璃、汽车用玻璃、阴极射线管(CRT)或平板显示，许多情况下采用溅射法，这种方法适合在大面积基板上进行薄膜沉积。通常在含氧气氛中，利用Si靶通过技术沉积氧化硅薄膜情况下，知道如果施加的功率恒定，电压随加入到气氛中的氧气流速变化。图3所示为在含氩和氧的气氛中用Si靶溅射来沉积氧化硅薄膜时，电压和加入气氛中的氧气流速之间关系(电压变化曲线)的一个例子。图3是气氛中氧气流速从0sccm状态增加到80sccm状态，同时气氛中的氩气流速保持恒定在125sccm状态，之后氧气流速降低到0sccm状态下，得到的一个例子。如图3所示，如果提高溅射时的氧气流速，在最初阶段，电压基本上保持在较高值不变。然而，当氧气流速达到一定水平时电压下降，如果氧气流速进一步提高，电压基本保持在较低值。相反，如果氧气流速下降，在最初阶段，电压基本保持在较低值，当氧气流速达到一定水平时，电压上升，如氧气流速进一步下降，电压基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造氧化硅薄膜的方法，该方法包括：在含氧化气体的气氛中，采用含有Ｃ与Ｓｉ原子数比为０．５－０．９５的碳化硅和硅的溅射靶，用频率为１－１，０００ｋＨｚ的交流电进行ＡＣ溅射，在基片上沉积氧化硅薄膜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田徹，真下尚洋，志堂寺荣治，神山敏久，片山佳人，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，旭硝子陶瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]