一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片及制作方法技术

本发明专利技术公开了一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片，包括：衬底；耗尽层，形成于所述衬底上；深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；n型硅体，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；间隔排列在所述n型硅体上方且位置耗尽层内的第一n型重掺杂区、p型重掺杂区、第二n型重掺杂区；p型掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；第三n型重掺杂区，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。本发明专利技术将超大面积硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成在一个芯片上，大大减少封装的难度，以及芯片集成时所占的面积，且便于探测器与场效应管的参数调节。

【技术实现步骤摘要】
一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片及制作方法
本专利技术属于芯片结构领域，具体涉及一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片及制作方法。
技术介绍
硅漂移探测器(SDD)在宇宙探索，航天航空，高能物理实验等各方面有着广泛的应用。将太空中的脉冲星探测作为一个例子，它的周期性X射线为软X射线，能量范围为0～15KeV，发展大面积硅漂移探测器阵列势不可挡，从几平方米至十几平方米不等。尽管在有些高能物理试验中已经使用所谓的“大面积硅漂移探测器”，但事实上其探测器单元面积仍然是在几十平方毫米的数量级上，要想发展平方米级的探测器阵列，单元面积达到几百或者几千平方毫米都是必要的。现有硅漂移探测器，比如德国KETEK公司，仍然将用于SDD第一级放大读出的结型场效应管与SDD芯片分开设计制作，然后与制冷器一起封装，这样会使得封装有一定的难度，且探测器芯片与场效应管芯片在集成时具有连接的难度，尤其时两个芯片面积大小不一致时。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片，用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片，其特征在于，包括：/n第一p型重掺杂区(12)；/n耗尽层(1)，形成于所述第一p型重掺杂区上；/n深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；/nn型硅体(10)，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；/n间隔排列在所述n型硅体上方且位于耗尽层内的第一n型重掺杂区(2)、p型重掺杂区(3)、第二n型重掺杂区(4)；/np型掺杂区(5)，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；/n第三n型重掺杂区(6)，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；/n阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片，其特征在于，包括：
第一p型重掺杂区(12)；
耗尽层(1)，形成于所述第一p型重掺杂区上；
深p型沟道，横向设置于所述耗尽层内；
n型硅体(10)，横向设置于所述耗尽层内且位置所述深p型沟道上方；
间隔排列在所述n型硅体上方且位于耗尽层内的第一n型重掺杂区(2)、p型重掺杂区(3)、第二n型重掺杂区(4)；
p型掺杂区(5)，设置于所述耗尽层内且与所述第二n型重掺杂区间隔设置；
第三n型重掺杂区(6)，设置于所述耗尽层内且与所述p型掺杂区间隔设置；
阴极环，设置于耗尽层内，与第三n型重掺杂区间隔设置。


2.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与结构型场效应晶体管集成芯片，其特征在于，还包括：二氧化硅层(9)，设置于所述耗尽层的上表面。


3.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与结构型场效应晶体管集成芯片，其特征在于，所述深p型沟道通过在所述耗尽层内注入p型杂质形成。


4.根据权利要求1所述的硅漂移探测器与结构型场效应晶体管集成芯片，其特征在于，所述n型硅体通过在所述耗尽层内注入n型杂质形成。


5.一种硅漂移探测器与结型场效应晶体管集成芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在耗尽层(1)上依次形成第一p型重掺杂区(12)、深p型沟道(11)、n型硅体(10)、第一n型重掺杂区(2)、第二p型重掺杂区(3)、第二n型重掺杂区(4)、p型掺杂区(5)、第三n...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘曼文，李正，
申请(专利权)人：湖南正芯微电子探测器有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43